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”和“TransFar創(chuàng)四方
”兩大自主品牌，產(chǎn)品覆蓋全國并遠銷海外。集團擁有占地面積80余畝，建筑面積40000m²的福建產(chǎn)業(yè)基地(位于福建省南平市武夷新區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi))。集團系中國電源學會理事單位，北京電源行業(yè)協(xié)會常務理事單位，中國電子質(zhì)量管理協(xié)會會員單位， 電車人產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事單位，ISO9001質(zhì)量體系認證單位，中國電子行業(yè)用戶滿意企業(yè)、用戶滿意產(chǎn)品單位。 經(jīng)過多年發(fā)展，公司匯聚了一批高素質(zhì)的專業(yè)技術(shù)人才，在各類產(chǎn)品上都能實現(xiàn)有針對性的專業(yè)性設計和高品質(zhì)制造。所有產(chǎn)品都具有結(jié)構(gòu)布局合理、隔離耐壓高、散熱好、環(huán)境適應能力強等顯著優(yōu)點，可廣泛應用于新能源電動汽車、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、電力智能化、鐵路、工業(yè)控制系統(tǒng)、電力電子裝置、智能儀器儀表、通用電器設備等不同行業(yè)復雜的使用環(huán)境中。 我公司的設計將以市場需求為導向，不斷創(chuàng)新，關注客戶并努力為客戶創(chuàng)造價值，與業(yè)界同仁攜手并進，共同為電子元器件市場和電力電子行業(yè)的繁榮與發(fā)展做出應有的貢獻。一、概述：
IDB4.5/TN-1G集成驅(qū)動模塊（以下簡稱驅(qū)動模塊），用于驅(qū)動單個大功率IGBT或MOS。具有輸入輸出7000V高隔離耐壓。驅(qū)動模塊具有短路保護，還設有盲區(qū)、軟啟動等調(diào)節(jié)引腳，方便設計調(diào)試。
二、產(chǎn)品特點：
? 采用SPI單列直插封裝；
? 故障保護盲區(qū)和軟關斷時間外部可調(diào)；
? 輸入輸出信號電氣隔離；
? 保護閾值電壓外部可調(diào)；
? 帶有過流及短路保護和故障輸出功能；
三、極限特性：
參數(shù) | 測試條件 | 數(shù)值 | 單位 | |
邏輯電源電壓 | VCC | 6.0 | V | |
輸入信號電壓 | VSIG | VCC=5.0V,30KHz | 15 | V |
驅(qū)動電源電壓 | VDD | 26 | V | |
瞬態(tài)輸出峰值電流 | Io on | TON=1uS，D=0.01 | +40 | A |
Io off | -40 | |||
輸出功率 | Po | 4.5 | W | |
工作頻率 | F | 80 | KHz | |
絕緣耐壓 | Viso | AC 50Hz 1min | 7000 | V |
四、電氣參數(shù)：
參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 單位 | |
輸入?yún)?shù)： | ||||||
邏輯電源電壓（VCC） | 4.5 | 5.0 | 6.0 | V | ||
邏輯電源電流（ICC） | 10 | mA | ||||
電源電壓（VDD） | 23.0 | 24.0 | 25.5 | V | ||
電源電流（IDD） | 210 | mA | ||||
輸入信號（VSIG） | 3.0 | 5.0 | 15.0 | V | ||
信號輸入電流（ISIG） | 100KHz，Vin=H | 1.0 | mA | |||
信號頻率范圍（fSIG） | 0 | 80 | KHz | |||
占空比 | 0 | 100 | % | |||
輸出特性 | ||||||
輸出電壓（VO） | Vin =15.0V | VO+ | 14 | 15 | 16 | V |
VO- | -7 | -8 | -9 | V | ||
輸出電流（IO） | Ton=1μS D=0.01 | IO+ | 40.0 | A | ||
IO- | -40.0 | A | ||||
延遲時間 | IOH=10mA | tDT on | 500 | 800 | nS | |
tDT off | 500 | 700 | nS | |||
柵極電阻（Rg） | 外設置 | 0.5 | Ω | |||
保護特性 | ||||||
保護閾值（VOCP） | 可外設置 典型值為缺省值 | 4.2 | 14 | V | ||
保護盲區(qū)（Tb） | 可外設置 最小值為缺省值 | 4.0 | 11 | μS | ||
軟關斷時間（Ts） | 可外設置 最小值為缺省值 | 3.5 | 11 | μS | ||
故障信號延時（TALM） | 1.0 | μS | ||||
故障輸出端電流（IALM） | 吸收電流 | 10 | mA | |||
其他 | ||||||
絕緣耐壓 | AC/50HZ/1min | 7000 | Vrms | |||
環(huán)境溫度 | -40 | 85 | ℃ | |||
儲存溫度 | -50 | 125 | ℃ | |||
五、原理框圖：
六、引腳定義及功能說明：
序號 | 表示符號 | 說明 |
1 | VSIG+ | 驅(qū)動信號輸入正電源輸入正 |
2 | 空腳 | |
3 | 空腳 | |
4 | VCC+ | 驅(qū)動信號輸入地 |
5 | GND | 電源、信號地 |
6 | ALM | 故障保護報警輸出端；低電平有效。 |
7 | RESET | 模塊復位引腳。故障后高電平復位。 |
8 | ROCP | 過流保護閾值調(diào)整端。 |
9 | Cs | 保護軟關斷時間調(diào)整端。 |
10 | VO+ | 驅(qū)動輸出正。 |
11 | VO- | 驅(qū)動輸出負。 |
12 | VDD | 驅(qū)動電源正端。 |
13 | -VEE | 驅(qū)動電源負端。 |
14 | Cb | 保護盲區(qū)時間調(diào)整端。 |
15 | VOCP | 過流電壓檢測端。 |
16 | COM | 驅(qū)動電源公共端。 |
七、調(diào)節(jié)說明：
電壓下降到90%的時間。盲區(qū)時間是為了避免檢測端干擾或其它擾動導致保護電路誤動作。該時間可以通過14腳外接電容調(diào)節(jié)，具體調(diào)節(jié)可參照下表：
Tb(uS) | Rp(KΩ) | ||||||
4.7 | 10 | 47 | 100 | 200 | 缺省 | ||
Cb(pF) | 缺省 | 4.4 | 3.2 | 2.3 | 1.9 | 1.8 | 1.7 |
47 | 5.8 | 4.4 | 2.8 | 2.5 | 2.4 | 2.2 | |
100 | 7.9 | 5.9 | 3.9 | 3.3 | 3.1 | 2.9 | |
220 | 12.7 | 9.2 | 5.4 | 4.8 | 4.3 | 4.0 | |
470 | 16.4 | 9.5 | 7.5 | 6.8 | 6.2 | ||
1000 | 17.2 | 14.2 | 12.8 | 10.9 | |||
（2） 軟關斷時間調(diào)整：
軟關斷時間是驅(qū)動波形從90%電壓降到COM電壓的時間，具體調(diào)節(jié)可參照下表：
軟關斷時間調(diào)整參考表 | |
（nF） | Fb (μS) |
缺省 | 5.2 |
0.47 | 5.8 |
1.0 | 6.6 |
1.5 | 7.4 |
2.2 | 8.8 |
（3） 過流保護閾值調(diào)整：
當主功率回路中電流過大或是發(fā)生短路時，OCP腳電壓會相應升高，當電壓達到內(nèi)部保護閾值后，電路啟動保護功能。這一閾值可以通過11腳VOCP來進行調(diào)節(jié)·，11、9腳之間接電阻可以提高VOCP，11、8腳之間接電阻可以降低VOCP，具體調(diào)節(jié)關系如下表：
保護閾值調(diào)整參考表 | ||||||
Rp（KΩ） | 缺省 | 200 | 100 | 47 | 10 | 4.7 |
VOCP | 4.2 | 5.1 | 5.6 | 6.5 | 10.2 | 11.7 |
八、測試電路：
推薦參數(shù)：
Vsig=5V VCC：5V，實際應用時推薦外接100μF/35V電解電容。
C5、C6 、C7、C8：47μF/35V，選用低ESR電解電容；
R5：4.7-10KΩ 1/4W；
R3：外部閾值調(diào)節(jié)電阻，可選用1/4W電阻，具體數(shù)值參照7）節(jié)說明；
Rs1、Rs2：驅(qū)動柵極限流電阻，建議在0.5Ω-22.0Ω之間選擇；
R4： 330Ω 1/4W
R2： 220Ω 1/4W
D1、D2：UF4007，當主路電壓高于600V時，建議用兩個串聯(lián)使用；
DZ1：15-30V 1/2W穩(wěn)壓管；
DZ2、DZ3：18V 1.0W穩(wěn)壓管。
九、外形尺寸：
