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SiC|GaN第三代半導體靜態(tài)參數測試系統(tǒng)

參考價	￥ 1000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號PMST-3500V
所在地武漢市
廠商性質生產廠家
更新時間2023/2/15 16:45:41
訪問次數571

產品標簽:

功率器件測試平臺靜態(tài)參數測試大電流高電壓測試第三代半導體測試平臺半導體功率器件測試

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公司介紹主營產品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術有限公司的全資子公司，一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產與銷售，致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學與光電技術、微弱信號處理與抗干擾技術、高速數字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術平臺優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺式數字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數據采集卡等國產化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)等。產品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢，廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定義解決方案，同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?；奶魬?zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產化數字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內嶺跑的半導體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術創(chuàng)新、精益的生產制造、嚴格的質量體系及國際化視野，推出的產品已被國內通信巨圖和多家之名半導體企業(yè)認可和應用，是為數不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質的產品與Z貼心的服務”為宗旨，朝著圈球半導體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。

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數字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

產品簡介在線詢價

普賽斯SiC|GaN第三代半導體靜態(tài)參數測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點

SiC|GaN第三代半導體靜態(tài)參數測試系統(tǒng) 產品信息

SiC|GaN第三代半導體靜態(tài)參數測試系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；

大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；

高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；

豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；

配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；

數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；

模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；

可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；

可定制開發(fā)：可根據用戶測試場景定制化開發(fā)；

IGBT靜態(tài)參數測試系統(tǒng)簡介

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿足不同測試需求。測試數據可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz。

系統(tǒng)參數

項目		參數
集電極-發(fā)射極	Z大電壓	3500V
	Z大電流	6000A
	精度	0.10%
	大電壓上升沿	典型值5ms
	大電流上升沿	典型值15us
	大電流脈寬	50us~500us
	漏電流測試量程	1nA~100mA
柵極-發(fā)射極	Z大電壓	300V
	Z大電流	1A(直流)/10A(脈沖)
	精度	0.05%
	Z小電壓分辨率	30uV
	Z小電流分辨率	10pA
電容測試	典型精度	0.5%
	頻率范圍	10Hz~1MHz
	電容值范圍	0.01pF~9.9999F
溫控	范圍	25℃~150℃
溫控	精度	±1℃