桌面型快速退火爐 |
RTP-Table-6 |
一、 簡(jiǎn)介 |
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.1 概要 |
RTP-Table-6 是在保護(hù)氣氛下的桌面手動(dòng)快速退火系統(tǒng),以紅外可見光加熱單片 Wafer 或樣品,工藝時(shí)間 短,控溫精度高,適用 2-6 英寸晶片。相對(duì)于傳統(tǒng)擴(kuò)散爐退火系統(tǒng)和其他 RTP 系統(tǒng),其的腔體設(shè)計(jì)、 *的溫度控制技術(shù)和的 RL900 軟件控制系統(tǒng),確保了的熱均勻性。 |
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.2 產(chǎn)品特點(diǎn) 紅外鹵素?zé)艄芗訜?,冷卻采用風(fēng)冷 |
燈管功率 PID 控溫,可精準(zhǔn)控制溫度升溫,保證良好的重現(xiàn)性與溫度均勻性 |
采用平行氣路進(jìn)氣方式,氣體的進(jìn)入口設(shè)置在 Wafer 表面,避免退火過程中冷點(diǎn)產(chǎn)生,保證產(chǎn)品良好 |
的溫度均勻性 |
大氣與真空處理方式均可選擇,進(jìn)氣前氣體凈化處理 標(biāo)配三組工藝氣體 |
可測(cè)單晶片樣品的尺寸為 6 英寸(150mm) |
采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施,保障 儀器使用安全 |
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.3 RTP 行業(yè)應(yīng)用 氧化物、氮化物生長(zhǎng) 硅化物合金退火 砷化鎵工藝 |
歐姆接觸快速合金 氧化回流 |
其他快速熱處理工藝 |
二、 技術(shù)規(guī)格 |
RTP-Table-6 |
產(chǎn)品尺寸 |
6 寸晶圓或者支持 150×150mm 產(chǎn)品 |
腔體材質(zhì) 溫度范圍 |
鍍金鋁制腔體 |
室溫~1200℃ (>800℃采用非接觸式溫度計(jì)控溫) 150℃/s 可編程(此溫度為不含載盤的升溫速度) ±5℃≤500℃,±1%>500℃ ±1℃ |
升溫速度 溫度均勻度 溫度控制重復(fù)性 恒溫持續(xù)時(shí)間 溫控方式 |
可依據(jù)要求編程 |
快速 PID 溫控 |
控溫區(qū)域 |
多組控溫區(qū)域,保證恒溫區(qū)溫度穩(wěn)定性 |
降溫速度 |
約 200℃/min( 1000~400℃)不可編程 可配置大氣常壓腔體或者真空腔體 無油渦旋真空泵 |
腔體設(shè)計(jì) |
真空泵 |
腔體冷卻方式 冷水機(jī)配置 襯底冷卻方式 工藝氣體 |
水冷腔體,獨(dú)立水冷源控制冷卻 |
優(yōu)先選擇瑞樂百德公司配置的冷水機(jī),或者使用廠務(wù)用水 氮?dú)獯祾?/span> |
MFC 控制,常規(guī)三路氣體(N / O / GN ) |
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控制方式 |
工業(yè)電腦+PC control |
溫度校準(zhǔn) |
TC Wafer 及溫度校準(zhǔn)工具(選配) SiC (選配) |
Wafer 托盤 |
三、 廠務(wù)需求 |
廠務(wù)需求 |
機(jī)臺(tái)尺寸 重量 |
900×680×780mm(腳杯可調(diào)節(jié)) 100Kg |
電源 |
3 相 380V 100A 50Hz |
N2 3~5Kg/cm |
2 |
制程氣體 |
5 |
Kg/cm |
2 |
CDA |
廠務(wù)排氣 |
35mm 排氣口,氣體流量> 300SLM |
四、選配清單 |
選配清單 |
非接觸式溫度計(jì) 多路氣體控制 |
>800℃控溫需要配置 |
標(biāo)配三路氣體控制,如需要增加請(qǐng)?zhí)崆皽贤?/span> |
SiC 載盤 |
晶圓載盤 溫度校準(zhǔn) |
石墨載盤 |
載盤尺寸:按照要求設(shè)計(jì) |
TC Wafer 與溫度檢測(cè)器 |
冷水機(jī) |
腔體冷卻裝置(建議客戶選配,不用廠務(wù)冷卻水) 風(fēng)冷式干泵 |
腔體真空系統(tǒng) |