FF200R12KT4 英飛凌IGBT模塊
技術(shù)參數(shù):
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.18
• Toff(us) 0.54
• Rth(j-c),K/W 0.135
• Pc(W) 1100
• 封裝 62mm
• 電路結(jié)構(gòu) 半橋
性能概要:
• 頻率控制逆變器驅(qū)動(dòng)器提供的解決方案
• UL/ CSA認(rèn)證與UL1557 E83336
• 工作溫度可達(dá)125°C(150°C)
• 降低了開(kāi)關(guān)損耗
• 具有較高的電流能力
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
優(yōu)點(diǎn):
• 靈活性
• 電氣性能
• 可靠性
目標(biāo)應(yīng)用:
• 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
• 太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
對(duì)于完整的太陽(yáng)能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品
• 不間斷電源(UPS)
• 商業(yè),農(nóng)業(yè)和工程車輛(CAV)
• 感應(yīng)加熱
• 工業(yè)焊接
FF200R12KT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止(fieldstop),這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃,運(yùn)行溫度可達(dá)150℃。低損耗,FF200R12KT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運(yùn)行結(jié)溫等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器,電機(jī)驅(qū)動(dòng),電源等領(lǐng)域。
FF100R12KS4
FF150R12KS4
FF200R12KS4
FF300R12KS4
FF400R12KS4
FF600R12KS4
FF100R12KT4
FF200R12KT4
FF300R12KT4
FF450R12KT4
FF100R12RT4
FF200R12RT4
FF300R12RT4