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L75 PT Quattro四樣品熱膨脹儀的設(shè)計，專為需要處理大量樣品的客戶研發(fā)。L75 PT Quattro四樣品熱膨脹儀配備四個獨(dú)立的膨脹測量傳感器，可以在同時測量四個單獨(dú)的樣品，或者一個參考標(biāo)準(zhǔn)樣和三個獨(dú)立的樣品。
這意味著， 四樣品熱膨脹儀的測試效率是常用雙桿熱膨脹儀的3倍。采用雙桿膨脹儀每次只有一個樣品可以與參比樣同時測量。
L75 PT Quattro四樣品熱膨脹儀的另一個特點(diǎn)是帶有爐體自動升降系統(tǒng)。此功能會在測量結(jié)束時自動升起爐體。這允許用戶在爐體降溫過程中放入新的樣品。安裝第二或第三個爐體后，系統(tǒng)的樣品處理量可進(jìn)一步顯著增加。
L75 PT quattro四樣品膨脹儀為四個樣品測量特制的信號放大器，能夠進(jìn)行自動歸零。同時Linseis的手動飛桿的靈巧設(shè)計使得每個樣品能夠在精密的測量中被容易的更換和復(fù)位。
Linseis作為熱分析儀器的制造商，顯示我們強(qiáng)大的熱分析儀器研發(fā)生產(chǎn)能力。
型號 | DIL L75 PT QUATTRO |
溫度范圍 | -180℃ 至1000℃ RT 至 2800℃ |
加熱/冷卻速率 | 0.01 K / min 至50 K / min（取決于爐體） |
樣品支架 | 熔融石英 |
樣品長度 | 50mm |
樣品直徑 | 7mm |
氣氛 | 惰性，還原，氧化，真空，靜態(tài)/動態(tài) |
測量范圍 | 500/5000μm |
分辨率 | 0.125 nm |
接口 | USB |
所有的LINSEIS熱分析設(shè)備都是用計算機(jī)控制的，各個軟件模塊僅在Microsoft® Windows®操作系統(tǒng)上運(yùn)行。完整的軟件包括3個模塊：溫度控制，數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析。與其他熱分析系統(tǒng)一樣，該用于熱膨脹測量的32位Linseis軟件可以實現(xiàn)所有測量準(zhǔn)備、實施和評估的基本功能。經(jīng)過專家和應(yīng)用工程師的努力，LINSEIS開發(fā)出這款容易操作且實用的軟件。
特點(diǎn)
文本編輯
斷電保護(hù)
熱電偶破損保護(hù)
重復(fù)測量可少的輸入?yún)?shù)
實時測試評估
測量曲線比較：多達(dá)32條曲線
評估結(jié)果保存及導(dǎo)出
ASCII數(shù)據(jù)導(dǎo)入與導(dǎo)出
數(shù)據(jù)生成到MS Excel
多種方法分析（DSC TG 、TMA、DIL等）
曲線放大縮小
一階/二階求導(dǎo)
氣氛程序控制
統(tǒng)計評估
自由調(diào)節(jié)坐標(biāo)軸
DIL-特點(diǎn)
玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)及軟化點(diǎn)評估
軟化點(diǎn)判定及系統(tǒng)保護(hù)
顯示相對/收縮或膨脹曲線
顯示和計算工程/物理膨脹系數(shù)
燒結(jié)速率控制軟件（RCS）
燒結(jié)過程分析
半自動分析功能
多系統(tǒng)校正功能
自動歸零
以下是我們提供配件的簡要摘錄：
爐體選擇：
L75V 500LT -180°C -- +500°C
L75V 700LT -180°C -- +700°C
L75V 1000LT -180°C -- +1000°C
L75V 1000 RT -- 1000°C
L75V 1400 RT -- 1400°C
L75V 1550 RT -- 1600°C
L75V 1750 RT -- 1750°C
L75V 2000 RT -- 2000°C
L75V 2400 RT -- 2400°C
L75V 2800 RT -- 2800°C
附件
樣品制備設(shè)備
不同類型（設(shè)計/材質(zhì)）的樣品架
通過游標(biāo)卡尺對試樣長度的在線輸入
可選多達(dá)4種氣體的混氣箱
各種旋轉(zhuǎn)式和渦輪分子泵
材料
聚合物，陶瓷/玻璃/建材，金屬/合金，無機(jī)物
工業(yè)領(lǐng)域
廣泛應(yīng)用于陶瓷，建材和玻璃行業(yè)；汽車/航空/航天；企業(yè)研發(fā)和學(xué)術(shù)科研；金屬/合金工業(yè)；電子工業(yè)
玻璃陶瓷
該熱膨脹儀是用于確定的玻璃陶瓷材料熱膨脹系數(shù)（CTE）和的軟化點(diǎn)的方法。除了可以得到膨脹和熱膨脹系數(shù)（CTE），還可以獲得膨脹的一階導(dǎo)數(shù)。一階導(dǎo)數(shù)為零時可以確定熱膨脹的值和材料的軟化點(diǎn)。
陶瓷/粉末冶金
在高技術(shù)陶瓷生產(chǎn)過程中，對燒結(jié)過程模擬引起人們的廣泛興趣。當(dāng)使用可選軟件包——燒結(jié)速率控制軟件（RCS）時，根據(jù)PALMOUR III理論可以利用膨脹儀進(jìn)行編程控制燒結(jié)。以下是氧化鋯的燒結(jié)過程。最終獲得100％的密度。在達(dá)到最終密度時初始加熱速率降低。
