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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱蘇州工業(yè)園區(qū)浩高電子科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號
      • 所  在  地
      • 廠商性質(zhì)其他
      • 更新時間2022/11/9 10:26:37
      • 訪問次數(shù)228
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      浩高服務(wù)于電子科技、半導(dǎo)體行業(yè)、電路板廠、SMT行業(yè)、汽車電子、零部件組裝、LED光電產(chǎn)品、新能源材料及大專院校和科研機(jī)構(gòu)。蘇州工業(yè)園區(qū)浩高電子科技有限公司聯(lián)合蘇州納米研究所納米加工平臺建立檢測服務(wù)中心,提供可靠性和失效分析檢測服務(wù)。蘇州工業(yè)園區(qū)浩高電子科技有限公司成立于2010年,公司專注于電子工業(yè)測試設(shè)備、半導(dǎo)體測試設(shè)備、智能控制系統(tǒng)裝置相關(guān)配套產(chǎn)品設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,致力于電子科技領(lǐng)域內(nèi)測試和檢測技術(shù)開發(fā)、技術(shù)服務(wù)的*企業(yè)。浩高志在與您攜手并進(jìn),通過技術(shù)和服務(wù)融合,為客戶提供成熟的解決方案和技能,創(chuàng)造品質(zhì)的質(zhì)量時代,努力實現(xiàn)追求品牌的完善與發(fā)展,期待與您共創(chuàng)雙贏及美好未來。
      產(chǎn)品介紹失效分析是在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義,是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動
      場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡 產(chǎn)品信息

      產(chǎn)品介紹

      失效分析是在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義,是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動。

      我們?yōu)榭蛻籼峁┑碾婌o檢測分析服務(wù)為:場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡、鎢燈絲掃描電子顯微鏡冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡、透視電子顯微鏡場發(fā)射透射電子顯微鏡。

       

      設(shè)備名稱:場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

      型號:Quanta 400 FEG

      廠家:美國FEI

      主要用途:

      ? 可在高真空、低真空(130Pa)、環(huán)境真空(4000Pa)下觀察導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,對材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進(jìn)行分析,廣泛應(yīng)用于金屬材料、高分子材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等領(lǐng)域;

      ? 配備的Apollo40 SDD能譜無需液氮制冷,可進(jìn)行快速的點、線、面分布分析,獲得能譜的mapping圖譜;

      ? 其樣品室直徑達(dá)284 mm,對于直徑達(dá)四英寸硅片可以直接進(jìn)行測試,無需對樣品進(jìn)行分割處理;

      ? 附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測量材料微區(qū)在電子束激發(fā)下的發(fā)光光譜,而且可以進(jìn)行成像 顯示,從而可以對樣品的禁帶寬度、雜質(zhì)缺陷等進(jìn)行表征,獲取更為豐富的信息;? 可以測量材料的電子束感生電流(EBIC),從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷等信息,與陰極熒光測量互為補充。

      主要配置:

      ? MonoCL3+陰極熒光譜儀,波長范圍160-930nm

      ? 電子束感生電流(EBIC)

      ? STEM探測器

      ? Apollo 40 SDD能譜儀

      ? 液氮冷臺,溫度范圍為-185℃- +200℃

      ? 液氦冷臺,溫度范圍為6K-300K

      性能指標(biāo):

      ? 肖特基場發(fā)射電子槍

      ? 加速電壓:200V-30 kV

      ? 放大倍數(shù):12-2,000,000

      ? 分辨率:

      高真空:

      - 0.8nm at 30kV (STEM)

      - 1.2nm at 30kV (SE)

      - 2.5nm at 30kV (BSE)

      - 3.0nm at 1kV (SE)

      低真空:

      - 1.5nm at 30kV (SE)

      - 2.5nm at 30kV (BSE)

      - 3.0nm at 3kV (SE)

      環(huán)境真空:

      - 1.5nm at 30kV (SE)

      ? 樣品室:284mm,5軸馬達(dá)臺

      ? EDS分辨率:優(yōu)于136 eV,可分析包括B5以上的所有元素

      場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡


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