性能指標(biāo)

1. 電鏡分辨率: 1.5nm @ 15kV；2.0nm @ 10kV；3.0nm @ 5kV
2. 加速電壓: 500V～30kV
3. 束流大小: 20nA
4. 電鏡物鏡模式: 磁浸入模式UHR、無(wú)磁場(chǎng)模式HR
5. 電鏡檢測(cè)器: 高真空二次電子檢測(cè)器(SE)、極靴內(nèi)二次電子檢測(cè)器(TLD)、極靴內(nèi)背散射電子檢測(cè)器(TLD-B)、四分固體式背散射電子探測(cè)器(BSE)、樣品室紅外CCD探測(cè)器
6. 能譜分辨率: 129eV(Mn Kα) 能譜元素檢測(cè)范圍: B5～U92 

主要應(yīng)用

1. 固體樣品的微觀形貌、結(jié)構(gòu)，樣品的微區(qū)元素成份及線分布、面分布，廣泛應(yīng)用于納米技術(shù)、材料、物理、生物、化學(xué)、熱能、地球科學(xué)、環(huán)境、光電子等領(lǐng)域。
2. 粉末、微粒樣品形態(tài)的測(cè)定 金屬、陶瓷、礦物、水泥、半導(dǎo)體、紙張、塑料、食品、農(nóng)作物、細(xì)胞等材料的顯微形貌分析 復(fù)合材料界面特性的研究 材料中元素定性分析、定量分析、線分析、面分析 材料及電子器件失效分析 

樣品要求

1. 樣品中不得含有鐵（Fe）、鈷(Co)、鎳(Ni)。
2. 樣品不得具有磁性，并且不易被磁化。
3. 樣品中不得含有水分。
4. 樣品高度小于15mm，直徑小于30mm。
5. 多孔類或易潮解的樣品，請(qǐng)?zhí)崆罢婵崭稍锾幚怼?/span>
6. 樣品應(yīng)具有導(dǎo)電性。
7. 若樣品不導(dǎo)電，需要進(jìn)行鍍金、碳等導(dǎo)電膜的處理（提供鍍膜服務(wù)，但需要另行收費(fèi)）。

儀器說(shuō)明

1. 儀器名稱：高分辨場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡硅漂移探測(cè)器能譜儀 Field-emission Scanning Electron Microscopy & Energy Dispersive Spectrometer
2. 儀器型號(hào)：Sirion 200 (SEM)& INCA X-Act (EDS) 儀器縮寫：SEM
3. 生產(chǎn)廠家：美國(guó)FEI公司& 英國(guó)Oxford公司
4. 安裝日期：2005年
5. 關(guān)鍵詞：掃描電鏡 SEM 能譜儀 EDS 微觀形貌 表面形貌 元素成分 元素分布
6. 儀器簡(jiǎn)介： Sirion 200型掃描電子顯微鏡具有超高分辨率，該儀器能實(shí)現(xiàn)對(duì)各種固態(tài)樣品表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。
7. 該儀器配備的x射線能譜儀，能同時(shí)進(jìn)行樣品表層的微區(qū)點(diǎn)線面元素的定性、半定量分析。