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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊

      高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機

      參考價面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 公司名稱鵬城半導體技術(深圳)有限公司
      • 品       牌
      • 型       號PC-004
      • 所  在  地深圳市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時間2022/8/19 17:14:30
      • 訪問次數(shù)396
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      鵬城半導體技術(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點,尋求創(chuàng)新YIN/LING與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

      公司核心業(yè)務是微納技術與gao/duan精密制造,具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產(chǎn)制造。

      公司人才團隊知識結構完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊;還有來自工業(yè)界的高級裝備設計師團隊,他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

      公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(深圳),具備*的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

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      團隊部分業(yè)績分布

      *自主設計制造的分子束外延(MBE)設備,包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀(反射高能電子衍射儀)、直線型電子槍、膜厚儀(可計量外延生長的分子層數(shù))、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。


      設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用,至今仍在正常使用。


      設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯(lián)合系統(tǒng),應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所


      設計制造了金剛石薄膜制備設備,應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備?,F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所


      設計制造了全自動磁控濺射設備,可加水平磁場和垂直磁場,自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?,F(xiàn)使用單位國家光電實驗室


      設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備?,F(xiàn)使用單位香港城市大學*材料實驗室。


      設計制造了MOCVD及合金退火爐,用于GaN和ZnO的外延生長,實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。


      設計制造了磁控濺射研究型設備?,F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所


      設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?,F(xiàn)使用單位武漢理工大學。

                                                   

      鵬城半導體中國地圖標注.jpg


      公司已投放市場的部分半導體設備


      |物理氣相沉積(PVD)系列

      磁控濺射鍍膜機、電子束鍍膜機、熱蒸發(fā)鍍膜機,離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機

      |化學氣相沉積(CVD)系列

      MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD、ICPECVD、等離子刻蝕機、等離子清洗機

      |超高真空系列

      分子束外延系統(tǒng)(MBE)、激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)

      |OLED中試設備(G1、G2.5)

      |其它

      金剛石薄膜制備設備、硬質(zhì)涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備、合金退火爐

      |太陽能薄膜電池設備(PECVD+磁控濺射)

      團簇式太陽能薄膜電池中試線

      半導體設備,分子束系統(tǒng)MBE,ALD原子層沉積,超高真空系列,物理氣相沉積PVD系列,化學氣相沉積CVD系列
      品牌 鵬城半導體 產(chǎn)地類別 國產(chǎn)
      靶材 詳見產(chǎn)品簡介 基片溫度范圍 詳見產(chǎn)品簡介
      基片尺寸 詳見產(chǎn)品簡介 極限真空 詳見產(chǎn)品簡介
      成膜厚度均勻性 詳見產(chǎn)品簡介
      高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(電子束蒸發(fā)鍍膜機)是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點材料。
      可用于生產(chǎn)、科學實驗及教學,可根據(jù)用戶要求專門訂制。
      可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學膜厚自動控制兩種方式, 通過PLC 和工控機聯(lián)合實
      高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機 產(chǎn)品信息

      高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(電子束蒸發(fā)鍍膜機)是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導電薄膜、光學薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點材料。


      可用于生產(chǎn)、科學實驗及教學,可根據(jù)用戶要求專門訂制。


      可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學膜厚自動控制兩種方式, 通過PLC 和工控機聯(lián)合實現(xiàn)對整個鍍膜過程的全程自動控制, 包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。


      設備特點

      設備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便的特點,配備 E 型電子束蒸發(fā)源和電阻蒸發(fā)源。PID自動控溫,具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點。


      可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學膜厚自動控制兩種方式,通過PLC和工控機聯(lián)合實現(xiàn)對整個鍍膜過程的全程自動控制,包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。


      真空性能

      極限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa

      設備總體漏放率:關機12小時,≤10Pa

      恢復工作真空時間短,大氣至7×10-4Pa≤30分鐘;


      高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(電子束蒸發(fā)鍍膜機)設備構成

      E 型電子束蒸發(fā)槍、電阻熱蒸發(fā)源組件(可選配)、樣品掩膜擋板系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng)、分子泵真空機組或低溫泵真空機組、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、樣品傳遞機構,膜厚控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、恒溫冷卻水系統(tǒng)等組成。

      可選件:膜厚監(jiān)控儀,恒溫制冷水箱。


      熱蒸發(fā)源種類及配置

      項目   參數(shù) 備注
      E 型電子束蒸發(fā)系統(tǒng)1套
      功率6kW~10kW其它功率(可根據(jù)用戶要求選配)
      坩堝1~8只可根據(jù)用戶要求選配
      電阻熱蒸發(fā)源組件1~4套(可根據(jù)用戶要求配裝)


      電阻熱蒸發(fā)源種類

      -鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發(fā)源組件

      -石英舟熱蒸發(fā)源組件

      -鎢極或鎢藍熱蒸發(fā)源組件

      -鉭爐熱蒸發(fā)源組件(配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝)

      -束源爐熱蒸發(fā)組件(配石英坩堝或氮化硼坩堝)


      操作方式

      手動、半自動

      1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7


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