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innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G 1600筆記本
嵌入式系統(tǒng)系列
我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度，以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。
•小型 DIMM
•經(jīng)過充分測試和優(yōu)化的穩(wěn)定性和性能
•使用原始集成電路以滿足嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
• jedec 標(biāo)準(zhǔn)1.5 v (1.425 v ~ 1.575 v)和1.35 v (1.28 v ~ 1.45 v)
•操作環(huán)境: 0 ° c ~ 85 ° c
• rohs 符合性
• ce/fcc 認(rèn)證
DDR3 筆記本內(nèi)存（小外框）是一種緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊，可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動(dòng)化設(shè)置中。DDR3筆記本內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，具有1GB、2GB、4GB和8GB容量，數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。
規(guī)格：
| 規(guī)格 | DDR3 筆記本 |
| bbbb Factor | SODIMM |
| 主頻 | 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s |
| 容量： | 1GB, 2GB, 4GB, 8GB |
| 特色 | Non-ECC |
| 針腳 | 204pin |
| bbbbb | 64Bits |
| 電壓 | 1.5V, 1.35V |
| PCB 厚度 | 1.18 Inches |
| 工作溫度： | 0°C to 85°C |
產(chǎn)品料號(hào)：miaoliwei 1314651 2271
| 4GB | 1866MT/s | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CQE | ||
| 4GB | 1600MT/s | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CPC | ||
| 4GB | 1333MT/s | 2 | 2 | M3S0-4GSV0CN9 | ||
| 4GB | M3S0-4GMV0CQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMV0CPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMV0CN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDCQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDCPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDCN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDCM7 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDCL6 | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDCQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDCPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDCN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCCQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCCPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCCN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCCQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCCPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCCN9 |
| 4GB | M3S0-4GSJDLQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDLPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDLN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDLM7 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSJDLL6 | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDLQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDLPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMJDLN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSV0LQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GSV0LPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GSV0LN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GMV0LQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMV0LPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMV0LN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCLQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCLPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GSSCLN9 | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCLQE | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCLPC | |||||
| 4GB | M3S0-4GMSCLN9 |
DDR3 是一種電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，提供相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM(四倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的后繼者(增加至八倍)。
折疊降低功耗
DDR3內(nèi)存在達(dá)到高帶寬的同時(shí)，其功耗反而可以降低，其核心工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比現(xiàn)時(shí)DDR2節(jié)省30%的功耗，當(dāng)然發(fā)熱量我們也不需要擔(dān)心。就帶寬和功耗之間作個(gè)平衡，對(duì)比現(xiàn)有的DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1066及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不但內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也比上代更好。
考慮服務(wù)器與工業(yè)級(jí)內(nèi)存需能承受全天候運(yùn)作的工作負(fù)載， DDR4-2933/3200工業(yè)級(jí)內(nèi)存采用好質(zhì)量等級(jí)原廠DRAM IC，具長期穩(wěn)定供貨與固定組件優(yōu)勢，同時(shí)支持抗硫化技術(shù)應(yīng)用，可為常于污染或嚴(yán)苛環(huán)境運(yùn)作的邊緣設(shè)備，提供抗硫化內(nèi)存產(chǎn)品。 上市的DDR4-2933/3200工業(yè)級(jí)內(nèi)存包含UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM與ECC SODIMM等規(guī)格。
