關(guān)于振蕩電路的設(shè)計
激勵等級(或者驅(qū)動等級:DL)
石英晶振的激勵等級可以按照晶振的各種工作狀態(tài)下的消耗電力,或按照電流的等級來進(jìn)行表示(參閱下圖9, 10和圖11)。如 果利用過大的電力來使晶振工作,有可能產(chǎn)生頻率不穩(wěn)定等特性的惡化,以及導(dǎo)致石英芯片破損的危險。在使用之前,建議進(jìn)行電路設(shè)計時,確認(rèn)一下所使用的激勵等級不超過激勵等級的MAX值。
振蕩頻率和負(fù)載容量CL
負(fù)載容量 (CL) 是用來決定在振蕩電路中晶振頻率的參數(shù),從加在振蕩電路中晶振兩端的電容可知負(fù)載容量(參閱圖12)。 因振蕩電路的負(fù)載容量的不同,晶振的頻率會相應(yīng)地產(chǎn)生變動。為了獲得目標(biāo)的頻率精度,必須使晶振與負(fù)載容量相匹配。在使用時,請根據(jù)相應(yīng)晶振的負(fù)載容量,將振蕩電路的負(fù)載容量設(shè)定為與其相符。