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      產(chǎn)品|公司|采購|資訊
      
 
      
        	
            
        
      
			
      
	
      
	
      

		
      
		 	
		 
      
		
      
				
			
      
				
      ISSI DRAM
      
							    
				
      
								
      
					
      
														
      參考價(jià)面議
      
												
      
					
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      
				
      
				                  
      
								
      
					
        
						
      • 公司名稱廣州立功科技股份有限公司
						           
           
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      • 品       牌
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      • 型       號(hào)
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      • 所  在  地
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      • 廠商性質(zhì)其他
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      • 更新時(shí)間2021/9/24 18:17:45
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      • 訪問次數(shù)349
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					產(chǎn)品標(biāo)簽:
										
      
					
				
      
								
      
					在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品
					
					 					 
					點(diǎn)擊查看電話
										
					
					                     
                    					
      聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是 智能制造網(wǎng) 上看到的信息，謝謝!
      
				
      
					
			
      
			
      
		
      
  
		
      
			
      
				
				
      
				
      
					廣州立功科技股份有限公司成立于1999年，面向工業(yè)、汽車電子用戶提供芯片和智能物聯(lián)解決方案，為客戶提供從選型評(píng)估、開發(fā)設(shè)計(jì)、測(cè)試認(rèn)證到量產(chǎn)防偽，貫穿產(chǎn)品全生命周期的專業(yè)技術(shù)與服務(wù)。ZLG立功科技在國內(nèi)設(shè)有22個(gè)銷售機(jī)構(gòu)、2個(gè)技術(shù)研發(fā)中心，為客戶和供應(yīng)商提供價(jià)值。
				
      
				
				
      
				
				
      
					RFID芯片
				
      
							   			
							
				
      
				
      
			        
      
    	             			        
      
				
      
				
      
  				 
					DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，常見的系統(tǒng)內(nèi)存。幾乎所有的 DRAM 作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的離散元器件存在。DRAM 的硅工藝經(jīng)過顯著地定制，因此其無法與 CPU 一起集成。有許多樣式的 DRAM 可滿足市場(chǎng)的各種需要。雙數(shù)據(jù)速率 DDR 存儲(chǔ)器是臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器計(jì)算機(jī)中見的 DRAM 類型。DDR4 是一代的 DDR 存儲(chǔ)器。低功......
				
      
				
      
				
      
                
                
                
                
      
				
      
				
      
					
      
						ISSI DRAM 產(chǎn)品信息
					
      
					
      
						 
      DRAM 單元只是一個(gè)存儲(chǔ)電容器和訪問晶體管。一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng)，代表1的電容會(huì)放電，代表0的電容會(huì)吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
      低、中、高容量DRAM
      溫度范圍
      -40℃~125℃
      車規(guī)級(jí)產(chǎn)品
      PSC 25nm技術(shù)
      大部分產(chǎn)品
      支持ECC
       
					
      

										
      關(guān)鍵詞：晶體管 
      
									
      
			
      
			
			
      
		
      
						
      
			
      
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