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      華測(cè)-陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置

      參考價(jià) 5000
      訂貨量 ≥1臺(tái)
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司
      • 品       牌華測(cè)
      • 型       號(hào)HCSS-10
      • 所  在  地北京市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2023/9/19 13:58:45
      • 訪問次數(shù)2007
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                    北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司( 簡(jiǎn)稱: 華測(cè)儀器) 為高新技術(shù)企業(yè),專注于絕緣材料與先進(jìn)功能新材料電性能檢測(cè)以及材料電學(xué)測(cè)控設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù),目前公司產(chǎn)品已應(yīng)用于全國(guó)二十多個(gè)省、市、自治區(qū)。
          公司有功能材料、電氣絕緣材料兩個(gè)電學(xué)試驗(yàn)室;涉及材料測(cè)試儀器、器件的放大、調(diào)理、采集、控制;傳感器性能綜合評(píng)價(jià)等相關(guān)儀器。
          產(chǎn)品系列:功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)、絕緣診斷測(cè)試系統(tǒng)、高低溫介電溫譜測(cè)試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺(tái)、鐵電壓電熱釋電測(cè)試儀、絕緣材料電學(xué)性能綜合測(cè)試平臺(tái)、電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀、耐電弧試驗(yàn)儀、高壓漏電起痕測(cè)試儀、沖擊電壓試驗(yàn)儀、儲(chǔ)能材料電學(xué)測(cè)控系統(tǒng)、壓電傳感器測(cè)控系統(tǒng)。







      先進(jìn)功能材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng)、絕緣診斷測(cè)試系統(tǒng)、高低溫介電溫譜測(cè)試儀、極化裝置與電源、高壓放大器、PVDV薄膜極化、高低溫冷熱臺(tái)、鐵電壓電熱釋電測(cè)試儀、絕緣材料電學(xué)性能綜合測(cè)試平臺(tái)、電擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀、耐電弧試驗(yàn)儀、高壓漏電起痕測(cè)試儀、沖擊電壓試驗(yàn)儀、儲(chǔ)能材料電學(xué)測(cè)控系統(tǒng)、壓電傳感器測(cè)控系統(tǒng)。
      華測(cè)-陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置具有耐高溫、耐酸耐堿、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用。然而,陶瓷材料的制備通常需要很高的燒結(jié)溫度,消耗大量能源,生產(chǎn)成本較高,是限制其廣泛應(yīng)用的一個(gè)主要原因。為了降低陶瓷的生產(chǎn)成本和獲得更加陶瓷性能,人們采取了一系列措施。
      華測(cè)-陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 產(chǎn)品信息

      華測(cè)-陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置

         陶瓷材料具有耐高溫、耐酸耐堿、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用。然而,陶瓷材料的制備通常需要很高的燒結(jié)溫度,消耗大量能源,生產(chǎn)成本較高,是限制其廣泛應(yīng)用的一個(gè)主要原因。為了降低陶瓷的生產(chǎn)成本和獲得更加陶瓷性能,人們采取了一系列措施。一方面添加燒結(jié)助劑,通過提高擴(kuò)散速率或者形成低溫液相的方式提高燒結(jié)速率;另一方面不斷開發(fā)陶瓷燒結(jié)新的技術(shù),例如熱等靜壓燒結(jié)、微波燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)等,這些燒結(jié)技術(shù)不僅降低了能耗,而且使材料的性能得到顯著提高。

         閃燒是在2010年由科羅拉多大學(xué)Rishi Raj教授提出的一種新的燒結(jié)理念,指的是生坯在一定溫度和臨界電場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)生坯的低溫極速致密化,這個(gè)過程一般是幾秒鐘,這也是閃燒與場(chǎng)輔助燒結(jié)的主要區(qū)別。相比于其他燒結(jié)方法而言,閃燒具有燒結(jié)時(shí)間短、溫度低的優(yōu)勢(shì)。

         華測(cè)-陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置的閃燒有兩個(gè)特征現(xiàn)象:快速致密化和電導(dǎo)急速增加。與其它陶瓷燒結(jié)方法相比,閃燒具有燒結(jié)溫度極低、時(shí)間超短的優(yōu)勢(shì),大大的降低了能耗,為陶瓷的發(fā)展開啟了嶄新的一頁。


      閃燒試驗(yàn)裝置:


      閃燒試驗(yàn):

      恒溫實(shí)驗(yàn)時(shí)閃燒的三個(gè)階段:

      第一階段-孕育階段(incubation stage),在這一階段功率緩慢增加,這個(gè)階段所需的時(shí)間稱之為孕育時(shí)間,孕育時(shí)間一般受電場(chǎng)強(qiáng)度和溫度的影響;

      第二階段-閃燒階段(flash sintering stage),在這一階段功率急劇變化,達(dá)到限定電流后,試樣由恒壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楹懔鳡顟B(tài),功率逐漸趨于穩(wěn)定,與此同時(shí)試樣迅速致密化;

      第三階段-穩(wěn)定階段(stabilization stage),功率隨保溫時(shí)間的增大沒有明顯變化,趨于穩(wěn)定,致密化過程結(jié)束。


      閃燒的影響因素:

       電場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)試樣孕育時(shí)間及致密化的影響

      電流密度對(duì)試樣致密化的影響


      電流密度和保溫時(shí)間對(duì)晶粒尺寸的影響


      不同電流密度下在保溫時(shí)間對(duì)試樣致密度的影響


      不同爐溫下孕育時(shí)間隨電場(chǎng)強(qiáng)度的變化

      設(shè)備夠成:高溫爐、直流高壓電源、電壓、電流表






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