產(chǎn)品型號 | TBM44V02GB-S |
存儲容量 | 2GB |
閃存架構(gòu) | MLC Nand Flash Memory |
接口規(guī)格 | IDE 44pin接口規(guī)范 |
傳輸模式 | Ultra DMA Mode: 0-5 |
讀取速度 | ■■■■■■■18MB/s |
寫入速度 | ■■■■8MB/s |
容錯技術(shù) | 內(nèi)嵌高級ECC糾錯重寫功能 |
均寫技術(shù) | 靜態(tài)平均損耗控制技術(shù)(Static wear-leveling) |
故障間隔 | >800,000小時(MTBF) |
工作溫度 | 0℃~ +70℃ |
防震性能 | 抗沖擊1500G / 抗振動16.3G |
電源需求 | DC +3.3V ± 5%; DC +5.0V ± 10% |
功耗大小 | <105mA in operation |
外形尺寸 | 50.2mm x 27.5mm x 6.5mm |
保修期限 | 1年 |
| 深圳市新弘杰科技有限公司 | ||
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