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      IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

      參考價(jià)面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
      • 品       牌
      • 型       號ENX-2020
      • 所  在  地西安市
      • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
      • 更新時(shí)間2020/10/27 10:36:55
      • 訪問次數(shù)631
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      西安誼邦電子科技有限公司為國家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識和多年的測試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。 公司引進(jìn)美國*半導(dǎo)體測試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測試、半導(dǎo)體分立器件測試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無限,是我們工作的宗旨。

      主營范圍:1.IGBT測試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng) 4.分立功率器件測試儀 5.可控硅整流器測試(儀) 6.MOS 場效應(yīng)管測試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測試(儀) 9.光電耦合器測試(儀) 11.繼電器測試(儀)

       

      分立器件測試,圖示儀,大功率IGBT測試儀,雪崩測試儀
      ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
      IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

               IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

           ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

        IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

      配置

      測試范圍

      測試參數(shù)

      條件

      范圍

      電壓

      1000V

      IGBTs

      絕緣柵雙極型晶體管

      EAS/單脈沖雪崩能量

      VCE

      20V-4500V

      20-100V±3%±1V

      100-1000V±3%±5V

      1000-4500V±3%±10V

      電流

      200A

      MOSFETs

      MOS場效應(yīng)管

      EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

      Ic

      1mA-200A

      1mA-100mA±3%±0.1mA

      100mA-2A±3%±5mA

      2A-200A±3%±50mA

       

      DIODEs

      二極管

      IAS/單脈沖雪崩電流

      Ea

      1J-2000J

      1J-100J±3%±1J

      100J-500J±3%±5J

      500J-2000J±3%±10J

       

       

      PAS/單脈沖雪崩功率

      IC檢測

      50mV/A(取決于傳感器)

       

       

       

      感性負(fù)載

      10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

       

       

       

      重復(fù)間隙時(shí)間

      1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次

       

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