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廈門泰尼電氣有限公司

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DDR2-1A

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詳細(xì)介紹

DDR2-1A*-*DDR2-1A

由于場(chǎng)效應(yīng)管具有高輸入阻抗的特點(diǎn)，所以特別適用于作為多極放大電路的輸入級(jí)，尤其是對(duì)于高內(nèi)阻的信號(hào)源，采用場(chǎng)效應(yīng)管才能有效地放大。

由于場(chǎng)效應(yīng)管的源極、漏極、柵極分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極、集電極、基極，所以兩者放大電路也類似，場(chǎng)效應(yīng)管也有共源極放大電路和共漏極放大電路（源極輸出器）。在場(chǎng)效應(yīng)管放大電路中需要設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，否則也將造成輸出信號(hào)的失真。

<?XML:NAMESPACE PREFIX = ST1 />1、場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型

在輸入信號(hào)很小時(shí)，如果場(chǎng)效應(yīng)管工作于恒流區(qū)，此時(shí)<?xml:namespace prefix = m ns = "http://www.w3。。ｏｒｇ/1998/Math/MathML" /> I D 大小線性的受控于 U GS ，因此可得到場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型如圖4.9所示。

由于場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，是用 U GS 控制 I D 的大小，所以在組成放大電路時(shí)必須注意這一點(diǎn)。

2、自給偏壓式放大電路

圖4.10（a）是耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的自給偏壓電路。源極電流 I S （等于 I D ）流經(jīng)源極電阻 R S ，在 R S 上產(chǎn)生電壓降 I S R S ，顯然 U GS ＝－ I S R S ＝－ I D R S ，該電壓即為自給偏壓。

電路中各元件的作用如下：

R S 為源極電阻，由上面分析可知放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)受它控制，其阻值約為幾個(gè)千歐。

C S 為源極交流旁路電容，容量約為幾十微法。 C 1 、 C 2 為耦合電容。

R G 為柵極電阻，構(gòu)成柵極和源極之間的直流通路，但無直流通過，只用于設(shè)置柵-源極間的偏置電壓。不能太小，否則將嚴(yán)重降低放大電路的輸入電阻，其阻值一般為200kΩ～10MΩ。

R D 為漏極電阻，與三極管放大電路中的作用相同。

要注意的是，增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管只有柵-源電壓達(dá)到某個(gè)開啟電壓時(shí)，才有漏極電流出現(xiàn)，因此這類管子不能用自給偏壓電路。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管無此限制，圖4.10（b）即為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的自給編壓電路。

圖4.10所示電路的靜態(tài)工作點(diǎn)中的 U GS 、 I D 值可由以下兩式*的確定

{ U GS = U DD ? I D R D I D = I DSS ( 1? U GS U P ) 2

其中 I DSS 為飽和漏極電流。實(shí)際上這兩個(gè)方程也分別對(duì)應(yīng)于輸出回路的直流負(fù)載線和轉(zhuǎn)移特性曲線，兩條曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的值即為靜態(tài)工作點(diǎn)。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)化小信號(hào)模型，可得到自給偏壓式放大電路的交流通路如圖4.11所示。

由此可得自給偏壓式放大電路的放大倍數(shù)

A u = U o U i =? g m U GS R L ' U GS =? g m R L ' 。

輸入電阻為 R G ，輸出電阻為 R D 。

3、分壓式偏置放大電路

分壓式偏置電路適用于各種場(chǎng)效應(yīng)管放大電路，因?yàn)榫赏ㄟ^電阻的分壓獲得合適的溝道開啟電壓。圖4.12為耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的自給編壓電路， R G1 、 R G2 為分壓電阻，而電阻 R G 中無直流電流，這樣求得柵-源間靜態(tài)工作點(diǎn)電壓為：張亮（工程師）專線：
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U GS = R G2 R G1 + R G2 U DD ? I D R S = V G ? I D R S

其中 V G 為柵極電位。對(duì)N溝道耗盡型管， U GS 為負(fù)值，所以 I D R S ＞ V G ；對(duì)N溝道增強(qiáng)型管， U GS 為正值，所以 I D R S ＜ V G 。 R G 不能太小，一般為幾MΩ。在已知 U GS 時(shí)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型MOS管的 I D 可依據(jù) I D = I DSS ( 1? U GS U P ) 2 求得，增強(qiáng)型MOS的 I D 可依據(jù) I D = I Do ( U GS U T ?1 ) 2

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