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      北京京誠宏泰科技有限公司

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      英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

      參   考   價: ¥ 888

      訂  貨  量: ≥1件

      具體成交價以合同協(xié)議為準

      產品型號:BSM300GA170DLC

      品       牌: 英飛凌/Infineon

      廠商性質:經銷商

      所  在  地:北京市

      更新時間:2024-01-19 11:16:35瀏覽次數:3695

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

      北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC 

      英飛凌單管IGBT模塊BSM300GA170DLC 

      集電極—射極擊穿電壓: 1700 V

      集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

      集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 300 A

      柵極—射極漏泄電流: 400 nA

      功率耗散: 1.4 KW

      封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

      集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

      柵極/發(fā)射極zui大電壓: 20 V

      zui大工作溫度: + 125℃

      zui小工作溫度: - 40℃

       


      BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
      BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
      BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
      BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
      BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
      BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
      BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
      BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
      BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U 

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