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介電常數(shù)測(cè)試儀技術(shù)特點(diǎn)：

雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。
雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。
DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：
GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。

一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

主要技術(shù)特性 
Q 值測(cè)量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 
電感測(cè)量范圍  4.5nH ～ 140mH 
電容直接測(cè)量范圍  1 ～ 200pF 
主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ～ 220pF 
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％ 
信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz 
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz 
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字 

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

測(cè)試裝置技術(shù)特性

1.平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選 　　　　　
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm