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北京華瑞賽晶電子科技有限公司
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更新時(shí)間:2024-12-30 08:35:37瀏覽次數(shù):40次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 智能制造網(wǎng)下一代車載單面冷卻IGBT模塊——EV-Type模塊。這是專門針對電動汽車的應(yīng)用需求,而設(shè)計(jì)的新型模塊產(chǎn)品。EV-Type模塊相當(dāng)于三分之一的ED-Type模塊,如此小的尺寸內(nèi),實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的高電流密度,并包含兩個1.2kV/250A芯片組。不僅如此,電感遠(yuǎn)低于10nH,帶來了較低過沖電壓;低于0.9mOhm的極低接觸電阻,帶來了極低的導(dǎo)通壓降。優(yōu)異的SiN基板,提供了非常低的熱阻和出色的功率循環(huán)......
Single IGBT dual switch (~ ? of our ED-Type)
單IGBT雙重開關(guān)(我們ED型的~?)
Record current density 1.2kV, 2x250A on 45x45x4mm3
在45x45x4mm3上記錄電流密度1.2kV,2x250A
–Very low inductance <10nH à significant lower over-voltage
–極低電感<10nHà 過電壓情況明顯降低
–Lowest contact resistance <0.9mΩ, Optimal use of low VCEsat IGBT
–接觸電阻<0.9mΩ,低VCEsat IGBT的利用
–Low Rth and excellent cycling capability thanks to rugged SiN Substrate
–低Rth及出色的循環(huán)能力,得益于優(yōu)異的SiN基材
–Integrated Thermistor
–集成熱敏電阻
EV 組件
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