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更新時間:2017-07-14 01:24:10瀏覽次數(shù):960次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網(wǎng)平面態(tài)IGBT適用于快速二極管模塊
• 高動態(tài)強(qiáng)度承受,低開關(guān)損耗
• 溫度系數(shù),低通態(tài)電壓
• 在可靠電路操作時,并聯(lián)簡單
• 在有鋸齒或無鋸齒晶片,或蜂窩狀封裝時均適用
和 GTO及IGCT相比,IGBT 傳導(dǎo)損失相對較高,關(guān)斷損失則較低.
因此,優(yōu)化的IGBT開關(guān)頻率與相同額定的GTO和IGCT相比而言是很高
的。
無保護(hù)網(wǎng)(“緩沖器")也可使用IGBT, 因而可以使極為簡單的系
統(tǒng)拓?fù)鋵W(xué)化。這種簡化會導(dǎo)致這樣一個結(jié)果:大部分的系統(tǒng)損失會在硅
中消散因此通過熱約束減少zui大開關(guān)功率。
所有IGBT*的特性是它有能承受短路(高電流和高電壓在裝置中
同時交叉)的能力。短路時,能通過IGBT到達(dá)裝置設(shè)計(jì)的水平的電流時有
限的。僅有門控制又不對裝置造成*性損傷在10微秒內(nèi)安全的關(guān)閉短
路是不可能的。
IGBT 由1 cm2的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成。與之相匹配的二極管一同,IGCT
被做成不同的模塊,電和機(jī)械的裝置以及各種電額定。
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