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OH12AF 銻化銦霍爾元件

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OH12AF銻化銦（InSb)霍爾元件概述型號(hào)：OH12AF 工作溫度：-40～120℃ 封裝：SOT143 包裝：3000只/盤銻化銦（InSb)霍爾元件是用化合物半導(dǎo)體材料銻化銦制成，以霍爾效應(yīng)為工作原理，可將磁場(chǎng)強(qiáng)度信號(hào)線性的轉(zhuǎn)變成電壓信號(hào)。典型應(yīng)用檢測(cè)磁性物質(zhì)的旋轉(zhuǎn)或者位置（用在無刷直流電機(jī)，無觸點(diǎn)開關(guān)）檢測(cè)磁場(chǎng)（如無接觸電流傳感器等）極限參數(shù) (Ta=25℃)參數(shù)符號(hào)量值單位......

詳細(xì)介紹

OH12AF銻化銦（InSb)霍爾元件

概述

型號(hào)：OH12AF 工作溫度：-40～120℃ 封裝：SOT143 包裝：3000只/盤

銻化銦（InSb)霍爾元件是用化合物半導(dǎo)體材料銻化銦制成，以霍爾效應(yīng)為工作原理，可將磁場(chǎng)強(qiáng)度信號(hào)線性的轉(zhuǎn)變成電壓信號(hào)。

典型應(yīng)用

檢測(cè)磁性物質(zhì)的旋轉(zhuǎn)或者位置（用在無刷直流電機(jī)，無觸點(diǎn)開關(guān)）

檢測(cè)磁場(chǎng)（如無接觸電流傳感器等）

極限參數(shù) (Ta=25℃)

參數(shù)	符號(hào)	量值	單位
輸入電流	Imax	20 (at 25℃)	mA
功耗	Pmax	150 (at 25℃)	mW
工作溫度范圍	Top	-40 ～+120	℃
儲(chǔ)藏溫度范圍	Tst	-40 ～+150	℃

電參數(shù) (Ta=25℃)

參數(shù)	符號(hào)	檢測(cè)條件	最小值	值	單位
霍爾輸出電壓	VH	Vin＝1V, B＝500G（恒壓）	266	320	mV
輸入電阻	Rin	I＝0.1mA	240	550	Ω
輸出電阻	Rout	I＝0.1mA	240	550	Ω
不等位電壓	Vo	Vin＝1V, B＝0G	-7	+7	mV
輸出電壓的溫度系數(shù)	αVH	Ta＝0～40℃ AVG.	-	-1.8	% /℃
輸入輸出電阻的溫度系數(shù)	αRi	Ta＝0～40℃ AVG.	-	-1.8	% /℃

※ 霍爾輸出電壓VH為實(shí)測(cè)值減區(qū)VO值，即VH＝VHM－VO,

（VHM : 在500GS下測(cè)得的輸出電壓值）

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關(guān)鍵詞：無刷直流電機(jī) 電流傳感器

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