IGBT驅動變壓器選型

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選型指南

DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產(chǎn)品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應用要求。

一．產(chǎn)品特點：

①耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；

②漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；

③無開關延時、瞬時傳輸功率高；

④抗電強度高，安全可靠；

⑤全封閉，機械和耐環(huán)境性能好；

⑥體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。

二．使用條件：

①環(huán)境溫度：-40℃~+85℃

②相對濕度：溫度為40℃時不大于90%

③大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）

三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）

四．安全特性：

①絕緣電阻：常態(tài)時大于1000MΩ

②阻燃性：符合UL94-V₀級

五．DRT系列驅動變壓器各型號典型特性對比表：

序號	型號	變比（u）	∫udt （μVS）	初級電感 L_P	漏感 L_S	分布電容 C_K	耐壓 V_P	外形尺寸（mm）³
1	DRT801/101A	1:1	280	8mH	12μH	25pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
2	DRT801/201A	2:1	280	8mH	20μH	20pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
3	DRT801/301A	3:1	280	8mH	30μH	18pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
4	DRT801/111B	1:1:1	280	8mH	8μH	29pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
5	DRT801/211B	2:1:1	280	8mH	10μH	22pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
6	DRT801/311B	3:1:1	280	8mH	14μH	18pF	3.1kV	16.6×12.5×13.5
7	DRT802/101A	1:1	310	14mH	14μH	16pF	3.1kV	20.2×20×14.5
8	DRT802/201A	2:1	310	14mH	9μH	12pF	3.1kV	20.2×20×14.5
9	DRT802/301A	3:1	310	14mH	10μH	9pF	3.1kV	20.2×20×14.5
10	DRT802/111B	1:1:1	310	14mH	5μH	20pF	3.1kV	20.2×20×14.5
11	DRT802/211B	2:1:1	310	14mH	8μH	17pF	3.1kV	20.2×20×14.5
12	DRT802/311B	3:1:1	310	14mH	10μH	13pF	3.1kV	20.2×20×14.5
13	DRT803/101A	1:1	1000	3.5mH	4.5μH	50pF	6kV	30.14×27.94×25
14	DRT803/201A	2:1	1000	3.5mH	8μH	40pF	6kV	30.14×27.94×25
15	DRT803/301A	3:1	1000	3.5mH	12μH	32pF	6kV	30.14×27.94×25
16	DRT803/111B	1:1:1	1000	3.5mH	4.5μH	50pF	6kV	30.14×27.94×25
17	DRT803/211B	2:1:1	1000	3.5mH	8μH	40pF	6kV	30.14×27.94×25
18	DRT803/311B	3:1:1	1000	3.5mH	12μH	32pF	6kV	30.14×27.94×25

說明：

①上表中所給出的參數(shù)是在室溫下測得的典型值。

②各參數(shù)的意義：

u—變比=Ⅰ：Ⅱ：Ⅲ

V_P—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續(xù)時間60s

∫udt—額定伏微秒積≈V₁·t_n（在一定頻率范圍內其值基本不變）

L_P—線圈初級電感量 f=1000Hz V=0.3V

L_S—漏感（將次級繞組短路后測量）f=1000Hz V=1V

C_K—分布電容 f=1000Hz V=1V

六．選型指南：

①首先根據(jù)系統(tǒng)的工作電壓V。（有效值）來確定所需的抗電強度Vp，可按表1推薦選擇：

表1：

工作電壓 V。	220V	380V	500V	800V
抗電強度 Vp	1.9kV	3.1 kV	4.5 kV	6 kV

②根據(jù)控制級電源電壓和IGBT需要的驅動電壓選擇變比。

例如：若初級脈沖幅值為15V，為了使IGBT可靠驅動，則需要選擇變比為1:1的驅動變壓器，如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初級脈沖幅值為24-30V，為了使IGBT可靠驅動，則需要選擇變比為2:1的驅動變壓器，如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。

③根據(jù)伏微秒積（∫udt）及驅動脈沖的頻率（Fp），按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型。

例如：若調制脈沖的頻率為20KHz，脈沖幅度為15V，脈寬為20μs，則其伏微秒積∫udt=15×20=300 μVs，按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT802系列產(chǎn)品。若調制脈沖的頻率為50KHz，脈沖幅度為24V，脈寬為10μs，則其伏微秒積∫udt=24×10=240μVs，按已知驅動脈沖的伏微秒積應小于等于該頻率范圍內DRT驅動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT801系列產(chǎn)品。

④對驅動信號參數(shù)未知用戶，可按表2的推薦來選型。

表2：

IGBT規(guī)格（A）	100A以下	100A~400A	400A以上
推薦型號	DRT801/101A DRT801/201A DRT801/301A DRT801/111B DRT801/211B DRT801/311B	DRT802/101A DRT802/201A DRT802/301A DRT802/111B DRT802/211B DRT802/311B	DRT803/101A DRT803/201A DRT803/301A DRT803/111B DRT803/211B DRT803/311B

七．使用指南：

① 典型應用電路如下：

② 說明：

ⅰ．R1、D1主要起續(xù)流作用。D1一般可選1N4007，R1可選1kΩ~2kKΩ；

ⅱ．D2、D3，R2、R3主要起整形和防止IGBT柵極開路并提供放電回路。D2、D3可選用加速二極管，用以提高IGBT的開關速度，R2、R3可選幾十歐姆~幾百歐姆。

ⅲ．D4、D5主要起限制加在IGBT（g-e）端的電壓作用，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。

ⅳ．驅動變壓器的使用頻率可以在幾kHz ~幾十kHz之間。

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