實際上，在CMOS全硅振蕩器推出之前，市場上已經(jīng)有初創(chuàng)公司開始研發(fā)基于MEMS（微機電系統(tǒng)）技術(shù)的振蕩器，研發(fā)這類產(chǎn)品的目的也是要彌補石英晶體振蕩器的不足，替代石英晶體振蕩器的一些應(yīng)用市場?；贛EMS技術(shù)的振蕩器也有著體積小、制造工藝與CMOS兼容并且耗電低的特性，適用于大批量市場。在這一領(lǐng)域，SiTime、Discera等公司非常活躍。而石英晶體振蕩器行業(yè)的老大EpsonToyocom（愛普生拓優(yōu)科夢）zui近也已經(jīng)開始提供采用“QMEMS”技術(shù)的振蕩器，以此進(jìn)入亞毫米級振蕩器市場。

　　對比CMOS全硅振蕩器和MEMS振蕩器這兩種技術(shù)，兩者各有優(yōu)缺點。以CMOS全硅振蕩器為代表的SiliconLabs的JamesWilson認(rèn)為，CMOS全硅振蕩器比MEMS振蕩器要更有發(fā)展前景。首先全硅振蕩器的抖動性比MEMS振蕩器高7倍；其次，MEMS產(chǎn)品中的共振器需要特別定制，這使MEMS振蕩器的制造流程成為非標(biāo)準(zhǔn)化流程；再次，MEMS需要密閉封裝，要采用陶瓷或金屬的密閉封裝技術(shù)，這也使它的成本居高不下，相比較而言，CMOS全硅振蕩器可以采用塑料封裝，成本更低；此外，全硅振蕩器支持很寬的頻率范圍，例如從0.9MHz-200MHz，但MEMS振蕩器支持的頻率范圍比較窄，例如它們支持25MHz-30MHz、50MHz-75MHz這樣的頻率范圍。“從以上幾個方面看，我認(rèn)為MEMS振蕩器對于市場的沖擊和影響遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如全硅振蕩器。未來MEMS振蕩器更多地會針對一些專有市場，不會像全硅振蕩器那樣大規(guī)模應(yīng)用。”他說。

　　而zui近推出“QMEMS”振蕩器的EpsonToyocom公司戰(zhàn)略產(chǎn)品計劃部TeruhisaMiyazawa對《中國電子報》記者說，就MEMS振蕩器和全硅振蕩器的比較而言，他認(rèn)為全硅振蕩器的穩(wěn)定性和精度還比較差，例如隨著溫度的變化，全硅振蕩器的性能變化還是很大，此外，全硅振蕩器在抖動性方面還需要大大改善。他同時表示，目前市場上存在石英晶體、MEMS和全硅三種振蕩器是一件好事。這三種技術(shù)體現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，消費者可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行選擇。

　　總體而言，MEMS振蕩器已經(jīng)在市場上存在一些年了，已經(jīng)集聚了一批廠商，而且，在近一年中廠商之間出現(xiàn)了合作與購并，產(chǎn)品的出貨量也在逐步加大。與此同時，全硅振蕩器于今年上市，目前正在努力提高客戶的認(rèn)知度。據(jù)介紹，CMOS全硅振蕩器zui早的應(yīng)用是在數(shù)碼相機、攝像機、打印機、個人計算機外設(shè)、液晶顯示、服務(wù)器以及存儲裝置等方面。但它目前還不能夠滿足手機等大批量應(yīng)用和大于200MHz的高頻應(yīng)用。從技術(shù)層面來講，CMOS全硅振蕩器還要改善三方面的性能，即抖動性能、穩(wěn)定性和性，只有性能*優(yōu)于石英晶體振蕩器，它才能夠被市場zui終接受。

　　而從硅技術(shù)的快速發(fā)展情況來看，我們相信CMOS全硅振蕩器很有可能在不遠(yuǎn)的將來在每年40億美元的時鐘和時序市場上分一杯羹，特別是在那些大批量的主流應(yīng)用市場，它們將使電子系統(tǒng)*實現(xiàn)“全硅化”。