導(dǎo)波雷達(dá)料位計(jì)
型號(hào)：MH51…56
原理
導(dǎo)波雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí)，高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí)，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時(shí)，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會(huì)有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達(dá)是可以測(cè)量兩種不同介質(zhì)的介面，其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。
導(dǎo)波雷達(dá)發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測(cè)組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測(cè)介質(zhì)，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時(shí)間間隔與被測(cè)介質(zhì)的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質(zhì)，當(dāng)上面一層的介質(zhì)介電常數(shù)較小，而下面的介質(zhì)介電常數(shù)較大時(shí)，高頻微脈沖沿著探測(cè)組件傳播遇到上層介質(zhì)時(shí)，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質(zhì)繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時(shí)，由于下層介質(zhì)的介電常數(shù)較大，因而會(huì)有較大的能量被反射回來。因而導(dǎo)波雷達(dá)是可以測(cè)量兩種不同介質(zhì)的介面，其測(cè)量條件是上層介質(zhì)不導(dǎo)電或其介電常數(shù)比下層介質(zhì)介電常數(shù)小10以上。
◎應(yīng) 用： 液體及固體測(cè)量，復(fù)雜過程條件。
◎zui大量程： 30m
◎測(cè)量精度： ±10mm
◎過程連接： G1½A/G2A/1½NPT
◎探測(cè)組件材料： 不銹鋼316L /PTFE
◎過程溫度： -40…150°C
◎過程壓力： -1.0…40bar
◎信號(hào)輸出： 兩線制 4…20mA/HART
◎zui大量程： 30m
◎測(cè)量精度： ±10mm
◎過程連接： G1½A/G2A/1½NPT
◎探測(cè)組件材料： 不銹鋼316L /PTFE
◎過程溫度： -40…150°C
◎過程壓力： -1.0…40bar
◎信號(hào)輸出： 兩線制 4…20mA/HART
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