兩探針電阻率測(cè)試儀型號(hào):CN60M-FT-300TZ庫(kù)號(hào)：M291339  

參照標(biāo)準(zhǔn)：  

GB/T1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定方法-方法2直流兩探針?lè)ǎ?nbsp; 

SEMIMF397-1106<<硅棒電阻率測(cè)定兩探針?lè)?gt;>  

參數(shù)資料  

1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm  

2.電阻：10^-7～2×10^7Ω  

3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm  

4.分辨率：0.1μΩ測(cè)量±（0.05%讀數(shù)±5字）  

5.測(cè)量電壓量程：2mV20mV200mV2V測(cè)量±（0.1%讀數(shù)）  

6.分辨率：0.1uV1uV10uV100uV  

7.電流輸出：直流電流0～1000mA連續(xù)可調(diào)，  

量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA,：±0.2%讀數(shù)±2字  

8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導(dǎo)率值、溫度、單位自動(dòng)換算、橫截面、高度、電流、電壓等.  

9.溫度要求：23℃±1℃  

10.電源：220±10%50HZ/60HZ  

11.測(cè)量平臺(tái)參數(shù)如下：  

1）.可測(cè)硅芯、檢驗(yàn)棒尺寸：直徑4~22㎜（其他規(guī)格可定制）  

2）.探針頭探針與試樣接觸位置重復(fù)，無(wú)橫向移動(dòng)。  

3）.兩探針測(cè)試探針。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探針機(jī)械游率：±0.3%。  

4）.探針直徑0.8㎜；探針壓力總6-12N，探針材料：鎢針，  

5）.探針間及探針與其他部分之間的緣電阻大于109歐  

12.標(biāo)配外選購(gòu)項(xiàng)：a.pc軟件1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件；c.電腦和打印機(jī)