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西安智盈電氣科技有限公司

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供應(yīng)可控硅靜態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)

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參考價(jià): ￥ 100000

訂貨量: ≥1 套

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產(chǎn)品型號(hào)ZY-Drr

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地西安市

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更新時(shí)間：2025-03-21 15:31:23瀏覽次數(shù)：22次

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西安智盈電氣科技有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：30條

所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：張芳（總經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

可控硅靜態(tài)綜合測(cè)試設(shè)備是晶閘管、整流二極管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中的專用測(cè)試設(shè)備。

詳細(xì)介紹

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管、整流二極管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中的專用測(cè)試設(shè)備。

該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：

1) 門極觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元

2) 維持電流測(cè)試單元

3) 阻斷參數(shù)測(cè)試單元

4) 通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元

5) 電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元

6) 擎住電流

7) 門極電阻

8) 計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

9) 合格證標(biāo)簽打印

10) 夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具

二、技術(shù)條件

主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測(cè)試單元IGT/VGT

1. 陽極電壓：12V;

2. 陽極串聯(lián)電阻：6Ω;

3. 門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;

4. 門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2 維持電流測(cè)試單元IH

1. 陽極電壓：12V;

2. 預(yù)導(dǎo)通電流：＞10A,正弦衰減波；

3. 維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA;

4. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.3 通態(tài)壓降測(cè)試單元VTM

1. 平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2. 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3. 電流上升沿時(shí)間：≥5ms；

4. 通態(tài)壓降測(cè)試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5. 測(cè)試頻率：?jiǎn)未危?/p>

2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測(cè)試單元

1. 阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

2. 正反向自動(dòng)測(cè)試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計(jì)算機(jī)設(shè)定范圍值；在測(cè)試時(shí)電壓或漏電流超過所設(shè)定的范圍則自動(dòng)保護(hù)。

5. 測(cè)試頻率： 50HZ

2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測(cè)試單元dv/dt

1. 電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；

2. 電壓過沖范圍：＜50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6 擎住電流I_L_：100-1800mA

2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動(dòng)加壓方式

三、功能概述

3-1測(cè)試功能范圍

該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：

1. 門極參數(shù)測(cè)試：V_GT、I_GT

2. 維持電流測(cè)試：I_H

3. 阻斷參數(shù)測(cè)試：本測(cè)試單元可用以測(cè)量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

4. 壓降單元

本測(cè)試單元用來測(cè)量晶閘管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等參數(shù)。

5、電壓上升率參數(shù)測(cè)試：dv/dt

6、擎住電流I_L

7、門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測(cè)試

3-2、測(cè)試方法和測(cè)試準(zhǔn)則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測(cè)試的具體規(guī)定。北京功率器件研發(fā)

關(guān)鍵詞：控制系統(tǒng) 功率器件

商鋪：http://towegas.com/st315798/

主營產(chǎn)品：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等

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