功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)
功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性主要完成功率器件的開(kāi)通特性、關(guān)斷特性以及極限關(guān)斷特性參數(shù)的測(cè)試。
本技術(shù)規(guī)格書(shū)ZY-Eon適用于IGCT功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試臺(tái)（下面簡(jiǎn)稱(chēng)測(cè)試臺(tái)），規(guī)定了測(cè)試臺(tái)的主要技術(shù)要求，參數(shù)范圍，操作流程，試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則等。
本技術(shù)規(guī)范并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，所提供的貨物應(yīng)符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范中所提要求。
1. 引用標(biāo)準(zhǔn)[濱1]
GB/T 15291-2015 半導(dǎo)體器件 第6部分：晶閘管
JB/T 7624-2013 整流二極管測(cè)試方法
JB/T 7626-2013 反向阻斷三極晶閘管測(cè)試方法
以及國(guó)標(biāo)、IEC、IEEE相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以上標(biāo)準(zhǔn)均執(zhí)行新版本。如本技術(shù)規(guī)范與上述各標(biāo)準(zhǔn)之間有矛盾，則應(yīng)滿足較高標(biāo)準(zhǔn)。
2. 技術(shù)要求 功率半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 |
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1 | 常規(guī)開(kāi)通 | 通態(tài)電流 | 范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； |
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主電容電壓 | 范圍：300-7000V，連續(xù)可調(diào)； |
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導(dǎo)通電流寬度設(shè)定范圍 | 10μs-5ms |
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上升時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs |
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開(kāi)通反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs |
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開(kāi)通延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs |
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開(kāi)通能量測(cè)量范圍 | 0.01-200J±3%±0.1J |
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開(kāi)通di/dt測(cè)量范圍 | 10-5000A/μs±3%±10A/μs |
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2 | 常規(guī)關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍：200-10000A，連續(xù)可調(diào)； |
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關(guān)斷反饋延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-20μs±3%±0.05μs |
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關(guān)斷延遲時(shí)間測(cè)量范圍 | 0.01-40μs±3%±0.05μs |
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關(guān)斷能量測(cè)量范圍 | 0.01-1000J±3%±0.1J |
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斷態(tài)電壓上升率測(cè)量范圍 | 10-5000V/μs±3%±10V/μs |
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斷態(tài)電流下降率測(cè)量范圍 | 10-10000A/μs±3%±10A/μs |
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*主回路寄生電感 | ≤300nH |
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3 | 極限關(guān)斷 | 關(guān)斷電流 | 范圍：＜20000A； | 設(shè)備能力 |
4 | 數(shù)據(jù)采集和處理單元 | 示波器 | 帶寬不低于500MHz，采樣率不低于6.5Gs/s |
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試品控制方式 | 光纖控制 |
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2.1. 自動(dòng)恒溫壓力夾具
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 |
1 | 工作方式 | 自動(dòng)，氣動(dòng) |
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2 | 壓力范圍 | 10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。 |
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3 | 溫度控制范圍 | 70～180℃，分辨率0.1℃； | 高壓陽(yáng)極控溫器采用非接觸式測(cè)溫 |
(重慶科研院所檢測(cè))
[濱1]梳理本技術(shù)規(guī)格書(shū)引用到的標(biāo)準(zhǔn)
會(huì)員1.png)
