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陜西毅杰惠誠科學(xué)儀器有限公司
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更新時間:2024-03-20 17:34:55瀏覽次數(shù):129次
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原子層沉積(atomiclayer deposition,ALD)技術(shù),亦稱原子層外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技術(shù),是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)。所謂的原子層沉積技術(shù),是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。
1.技術(shù)參數(shù)
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