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      行業(yè)產(chǎn)品
      
							
						
      
						
        
							
      • 行業(yè)產(chǎn)品
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      上海德竹芯源科技有限公司
                                
                
                
      

							
      
                        			
      
		
      
	
      
	
	
      
		
      
            
      
                當前位置：上海德竹芯源科技有限公司>>半導體工藝設備>>TS系列 低壓化學氣相沉積LPCVD
            
      
			
      
				
      
					
      TS系列 低壓化學氣相沉積LPCVD
      
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      參  考  價面議  
      
					                    
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      
				
      
				
				
      
						
      
							
      產(chǎn)品型號TS系列 LPCVD
      
							
      品       牌
      
		                    
      廠商性質(zhì)其他
      
		                    							
      所  在  地上海
      
						
      
                        
                    
      
					 							        										
      聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式
      
									                                                 
      
						
      
							
      
								更新時間：2024-05-15 09:15:55瀏覽次數(shù)：63次
							
      
							聯(lián)系我時，請告知來自 智能制造網(wǎng)
						
      
				
      
				
			
      
            
						
      
			
      
									
      
                                
      
                    產(chǎn)品簡介
                
      
				
      
                      
      
                                                                      
      
					
      低壓化學氣相淀積（LPCVD）是在低壓條件下通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅薄膜淀積等。
      
				
      
				
      
                    詳細介紹
                
      
			    
      
			        
      
			                                   
                               
                                   
           ● 適用于氮化硅工藝 – 標準和低應力工藝
           ● 適用于摻雜、非摻雜多晶硅工藝
           ● 適用于摻雜、非摻雜 TEOS 工藝
           ● 適用于摻雜、非摻雜 LTO/ HTO
           ● 支持 6 ~ 12 寸的晶圓
           ● 有保證的工藝指標
                  
           ● 可提供所有標準工藝和定制化工藝

      主要系統(tǒng)特性
           ● 在一個系統(tǒng)中進行原位氧化和多晶沉積
           ● 提供固有和原位摻雜聚工藝
           ● 高批量負載
           ● 高達 210mm 的晶圓尺寸

      客戶利益
           ● 的鈍化 iVoc > 整個負載下 730 mW
           ● 通過高系統(tǒng)吞吐量實現(xiàn)低的 CoO
           ● 在大批量生產(chǎn)中久經(jīng)考驗的 TOPCon 生產(chǎn)解決方案
                               
                             
                             
                               
                                                            
                             
                             
			        
      
			    
      
                                                				
			
      
			
      
		
      
	
      
	
    
      
		
      
			
      
				
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