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      上海德竹芯源科技有限公司
                                
                
                
      

							
      
                        			
      
		
      
	
      
	
	
      
		
      
            
      
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      磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
      
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      參  考  價(jià)面議  
      
					                    
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      
				
      
				
				
      
						
      
							
      產(chǎn)品型號(hào)SP-LC4-A0X / SP-LC6-A0X / SP-LC8-A0X
      
							
      品       牌
      
		                    
      廠商性質(zhì)其他
      
		                    							
      所  在  地上海
      
						
      
                        
                    
      
					 							        										
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								更新時(shí)間：2024-05-15 09:12:39瀏覽次數(shù)：41次
							
      
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      磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù) (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等薄膜材料，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射原理：通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。
      
				
      
				
      
                    詳細(xì)介紹
                
      
			    
      
			        
      
			                                   
                               
                                   
      磁控濺射鍍膜
      Magneto Sputter Deposition
      磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù) (Physical Vapor Deposition, PVD) 的一種。一般用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等薄膜材料，具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射原理：通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)誘導(dǎo)Ar離子轟擊材料表面，濺射出材料以沉積。
      磁控濺射原理
      磁控濺射鍍膜的關(guān)鍵在于靶槍的設(shè)計(jì)和氣路的設(shè)計(jì)，矽碁采用優(yōu)化的靶槍設(shè)計(jì)和氣路控制設(shè)計(jì)，將系統(tǒng)調(diào)配到磁控濺射適合的工藝窗口。
      靶槍設(shè)計(jì)特點(diǎn)

      根據(jù)客戶不同的真空度要求，我們可定制真空系統(tǒng)，其中包括高真空版本（5 × 10-7 Torr），近超高真空版本（5 × 10-9 Torr），以及超高真空版本（5 × 10-10 Torr），以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域和薄膜質(zhì)量的需求。對(duì)于基底材料的特殊要求，我們可提供不同功能的樣品臺(tái)，可實(shí)現(xiàn)加熱或者冷卻。

      加熱型樣品臺(tái)

      冷卻型樣品臺(tái)

      樣品臺(tái)偏壓

      應(yīng)用領(lǐng)域：
           ● 金屬薄膜制備
           ● 半導(dǎo)體薄膜制備
           ● 氧化物、氮化物、多元氧化物薄膜制備
           ● 太陽(yáng)能電池
           ● 超導(dǎo)材料
           ● 光學(xué)薄膜
           ● 磁性薄膜
           ● 超硬薄膜

      應(yīng)用展示：



      配置選型：

      配置特點(diǎn)：
           ● 腔體尺寸：根據(jù)靶槍數(shù)量和襯底尺寸確定
           ● 極限真空優(yōu)于 5 × 10-7 Torr，5 × 10-9 Torr （near UHV），5 × 10-10 Torr （UHV）
           ● 單基片設(shè)計(jì)，尺寸可定制，常規(guī)尺寸 8 寸并向下兼容
           ● 基片可加熱：Max. 300℃/500℃/800℃
           ● 最多可拓展 8 支磁控濺射靶槍?zhuān)晒矠R射
           ● 靶槍角度可調(diào)，濺鍍距離可調(diào)，可選配強(qiáng)磁靶
           ● 可選配多路氣路，支持反應(yīng)濺射
           ● 防交叉污染隔板設(shè)計(jì)
           ● 可配備離子束輔助沉積
           ● 可配備樣品射頻清洗/刻蝕功能
           ● 可配備快速進(jìn)樣室
           ● 可配備自動(dòng)壓力控制系統(tǒng)
           ● 全自動(dòng)操作系統(tǒng)
           ● 薄膜均勻度小于 ±3%
                               
                             
                             
                               
                                   
      配置選型：

      配置特點(diǎn)：
           ● 腔體尺寸：根據(jù)靶槍數(shù)量和襯底尺寸確定
           ● 極限真空優(yōu)于 5 ×10-7 Torr，5 ×10-9 Torr （near UHV），5 ×10-10 Torr （UHV）
           ● 單基片設(shè)計(jì)，尺寸可定制，常規(guī)尺寸 8 寸并向下兼容
           ● 基片可加熱：Max. 300℃/500℃/800℃
           ● 最多可拓展 8 支磁控濺射靶槍?zhuān)晒矠R射
           ● 靶槍角度可調(diào)，濺鍍距離可調(diào)，可選配強(qiáng)磁靶
           ● 可選配多路氣路，支持反應(yīng)濺射
           ● 防交叉污染隔板設(shè)計(jì)
           ● 可配備離子束輔助沉積
           ● 可配備樣品射頻清洗/刻蝕功能
           ● 可配備快速進(jìn)樣室
           ●  可配備自動(dòng)壓力控制系統(tǒng)
           ● 全自動(dòng)操作系統(tǒng)
           ● 薄膜均勻度小于 ±3%
                               
                             
                             
			        
      
			    
      
                			    
                                                				
			
      
			
      
		
      
	
      
	
    
      
		
      
			
      
				
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