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上海德竹芯源科技有限公司
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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)CVD-SC4/6/8-A00 & ICPCVD-SC4/6/8-A00
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時(shí)間：2024-05-15 09:09:00瀏覽次數(shù)：42次
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用等離子體為沉積反應(yīng)提供能量的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。PECVD可替代傳統(tǒng)CVD在較低的溫度下沉積各種薄膜，且能保證較高的薄膜質(zhì)量。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD
PECVD技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用比其他CVD技術(shù)更為廣泛。PECVD可以在較低的工作溫度（小于350°C）下沉積均勻的氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，石墨烯薄膜等，CVD技術(shù)相比于PVD技術(shù)具備更好的階梯覆蓋性和孔隙高填充特性。SYSKEY的系統(tǒng)能精確控制反應(yīng)壓力和襯底溫度等關(guān)鍵工藝參數(shù)以制備出高質(zhì)量的薄膜。平板式等離子體源適用于制備氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)薄膜，平板電極也可以用ICP線圈替代，產(chǎn)生的高密度等離子體可實(shí)現(xiàn)二維材料沉積。
ICP-CVD原理示意圖
二維材料鍍膜目前研究和應(yīng)用比較火熱。矽碁科技在ICP-CVD的基礎(chǔ)上，針對(duì)二維材料開發(fā)出適用于石墨烯生長(zhǎng)，硫系、硒系二維材料生長(zhǎng)設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)二維材料制備。
ICP-CVD石墨烯鍍膜
ICP-CVD硫化/硒化鍍膜
應(yīng)用領(lǐng)域：
● SiOx、SiNx、α-Si薄膜
● DLC超硬鍍膜
● 有機(jī)顯示、有機(jī)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池領(lǐng)域薄膜封裝
● CIGS太陽(yáng)能電池硒化
● 醫(yī)療領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品
● 二維材料鍍膜（Graphene, MoS2, MoSe2, WS2, WSe2等）
應(yīng)用展示：
配置特點(diǎn)：
● 可加載 12 英寸直徑的晶圓
● 薄膜均勻度優(yōu)于±5%
● 最多 10 路氣體管路，質(zhì)量流量精確控制
● 基板可加熱至 700°C，根據(jù)工藝制程定制
● 直接電容耦合等離子體（平板式）、遠(yuǎn)程電容耦合等離子體（CCP）、電感耦合等離子體（ICP）
● 可配備等離子體自清潔功能
● 可選配單片或多片加載腔
● 可與手套箱集成，也可以與其他CVD設(shè)備集成
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