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      北京元大興業(yè)科技有限公司

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      創(chuàng)見內(nèi)存筆記本第四代內(nèi)存DDR4-2400 SO-DIMM
      參考價(jià): 面議
      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
      • 產(chǎn)品型號(hào)
      • 品牌
      • 經(jīng)銷商 廠商性質(zhì)
      • 北京市 所在地

      訪問次數(shù):51更新時(shí)間:2024-11-22 10:29:08

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      產(chǎn)品簡(jiǎn)介
      創(chuàng)見內(nèi)存筆記本第四代內(nèi)存DDR4-2400 SO-DIMM
      產(chǎn)品介紹

        

       

        產(chǎn)品外觀因型號(hào)不同而有所差異,圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。

        ddr4-2400   無緩沖內(nèi)存   CL = 17

       

        建立嚴(yán)格規(guī)范的芯片和元器件,DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模塊超越經(jīng)過嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,以確保主流筆記本的性能和穩(wěn)定性。因?yàn)樾〉男问揭蛩?,例超薄筆記本電腦的外殼通常是伴隨著緊密間隔的散熱空間有限成分,超越的DDR4 SO-DIMM工作在標(biāo)稱電壓只有1.2V至不僅沒有減少產(chǎn)熱,而且整體功耗節(jié)省更多能源。

      容量 DRAM 創(chuàng)見型號(hào) 描述
      4GB 512Mx8 TS512MSH64V4H 4GB DDR4 2400 SO-DIMM 1Rx8
      8GB 1024Mx8 TS1GSH64V4B 8GB DDR4 2400 SO-DIMM 1Rx8
      8GB 512Mx8 TS1GSH64V4H 8GB DDR4 2400 SO-DIMM 2Rx8
      16GB 1024Mx8 TS2GSH64V4B 16GB DDR4 2400 SO-DIMM 2Rx8



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