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      行業(yè)產(chǎn)品

      • 行業(yè)產(chǎn)品

      筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司


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      硅鍺SiGe低噪聲低溫放大器 噪聲溫度≤4k 功耗27mW

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      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號CITLF3

      品       牌

      廠商性質(zhì)其他

      所  在  地上海市

      聯(lián)系方式:關(guān)嘉玉查看聯(lián)系方式

      更新時間:2024-06-08 12:29:13瀏覽次數(shù):109次

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        暫無信息

      經(jīng)營模式:其他

      商鋪產(chǎn)品:1266條

      所在地區(qū):

      聯(lián)系人:關(guān)嘉玉

      產(chǎn)品簡介

      筱曉光子硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器總覽CITLF3是一種硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用

      詳細(xì)介紹

       

      筱曉光子 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器




      總覽

      CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時,該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時的低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩(wěn)定的。雖然放大器適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個正直流電源供電,佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運(yùn)行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

      通用參數(shù)

      主要特點(diǎn)

      非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。

      由單個正直流電源供電。

      以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

      2 針 Winchester DC 連接器。

      可選的直流偏置三通。

      可選輸入保護(hù)二管。

      尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。

       

      性能特點(diǎn)@12K

      射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

      獲得

      35dB±3dB

      噪音溫度<4K

      噪聲系數(shù)<0.06dB

      佳直流電源

      Vd=2.0V

      ID=13.6mA

       

       

      12 K時的電氣規(guī)格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      射頻頻率

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      33 dB

      33 dB ± 3 dB

      Noise Temperature

      噪聲溫度

      < 4 K

      2.5 K

      4 K

      IRL (-20log|S11|)

      -12 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      直流電壓

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      13.6 mA

      2.7 mA

      27.4 mA

       

      300 K時的電氣規(guī)格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      30 dB

      30 dB ± 5 dB

      Noise Temperature

      < 60K

      40 K

      74 K

      IRL (-20log|S11|)

      -10 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      14.6 mA

      5.4 mA

      27 mA

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時的佳直流偏壓

       

       

       

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時的直流偏壓掃描

       

       

       

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時的低頻噪聲

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時的低頻S參數(shù)

       

       

       

      典型測試結(jié)果–12 K時的直流偏壓掃描

       

       

       

       

      CAD外殼圖紙

       

      更新時間:2023/5/24 17:35:26

      關(guān)鍵詞:連接器

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