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筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌
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所 在 地上海市
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更新時(shí)間:2024-06-08 10:53:55瀏覽次數(shù):102次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 智能制造網(wǎng)INCUS接收管太陽能分光光度計(jì) 40 365-1950nm
基于激光GHz聲波振動觀測系統(tǒng) 500MHz ~ 6GHz
用于晶圓的向克爾效應(yīng)測量系統(tǒng) BH-810CPC25
垂直磁各向異性評價(jià)系統(tǒng) BH-R810
熱輔助磁記錄介質(zhì)的非接觸HAMR/TAMR評估系統(tǒng)
高速波傳感器 400-800nm 光束直徑2.0-4.6mm
微型克爾環(huán)路測量系統(tǒng) BH-PI920 系列
克爾環(huán)路測量和域觀測系統(tǒng) BH-1071
暫無信息 |
筱曉光子無掩膜數(shù)字光刻機(jī)MCML-120A總覽產(chǎn)品特點(diǎn)采用數(shù)字微鏡(DMD)的無掩膜掃描式光刻機(jī),365nm波長直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件全自動化的對焦和套刻,易于使用晶圓連續(xù)運(yùn)動配合DMD動態(tài)曝光,無拼接問題
產(chǎn)品特點(diǎn)
采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機(jī),365nm波長
直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動化的對焦和套刻,易于使用
晶圓連續(xù)運(yùn)動配合DMD動態(tài)曝光,無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度: 0.2um
500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圓),滿幅面曝光時(shí)間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光(128階)
尺寸小巧,可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間
應(yīng)用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學(xué)元件,衍射光器件制作
教學(xué)、科研
參數(shù)
MCML-110A | MCML-120A | |
Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
Alignment accuracy 對準(zhǔn)精度 | <200nm | <100nm |
field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
Environment 環(huán)境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
(SU8-2002, 2um膠厚,2寸硅基底)
產(chǎn)品特點(diǎn)
采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機(jī),365nm波長
直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動化的對焦和套刻,易于使用
晶圓連續(xù)運(yùn)動配合DMD動態(tài)曝光,無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度: 0.2um
500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圓),滿幅面曝光時(shí)間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光(128階)
尺寸小巧,可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間
應(yīng)用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學(xué)元件,衍射光器件制作
教學(xué)、科研
參數(shù)
MCML-110A | MCML-120A | |
Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
Alignment accuracy 對準(zhǔn)精度 | <200nm | <100nm |
field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
Environment 環(huán)境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
(SU8-2002, 2um膠厚,2寸硅基底)
更新時(shí)間:2023/5/24 17:35:26
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