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      筱曉（上海）光子技術有限公司
                                
                
                
      

							
      
                        			
      
		
      
	
      
	
	
      
		
      
            
      
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      GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 非線性系數(shù)54pm/V 5x5x1mm
      
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      具體成交價以合同協(xié)議為準
      
				
      
				
				
      
						
      
							
      產品型號THZ-GASE-5-5-1
      
							
      品       牌
      
		                    
      廠商性質其他
      
		                    							
      所  在  地上海市
      
						
      
                        
                    
      
					 							        										
      聯(lián)系方式：關嘉玉查看聯(lián)系方式
      
									                                                 
      
						
      
							
      
								更新時間：2024-06-07 10:47:46瀏覽次數(shù)：59次
							
      
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      經(jīng)營模式：其他
      
						
      商鋪產品：1266條
      
						
      所在地區(qū)：
      
						
      聯(lián)系人：關嘉玉
      												
					
      
				
      
			
      			
      
                                
      
                    產品簡介
                
      
				
      
                      
      
                                                                      
      
					
      筱曉光子GaSe硒化鎵晶體THZ太赫茲晶體總覽GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz
      
				
      
				
      
                    詳細介紹
                
      
			    
      
			        
      
			              
      筱曉光子 GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體



      總覽

      GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
      注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
       
      晶體類型
      窗片 
       
      晶體規(guī)格
      5 x 5 x 1mm 
       
      技術參數(shù)
      GaSe晶體的透過率曲線
      實驗室光路系統(tǒng)
       

      EOS測量及反演結果
      產品特點
      ● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
      ● 抗損傷閾值高
      ● 非線性系數(shù)大
      ● CO2激光的SHG
      ● 多種尺寸可選
      ● 客戶導向的解決方案
      ● 接受客戶定制服務

      產品應用
      ● 太赫茲時域系統(tǒng)
      ● 太赫茲源晶體
      ● 中遠紅外氣體探測
      ●  CO2激光的SHG
      ● THZ實驗光源
      ● 太赫茲成像







      總覽

      GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
      注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。
       
       
      晶體類型
      窗片 
       
      晶體規(guī)格
      5 x 5 x 1mm 
       
      技術參數(shù)
      GaSe晶體的透過率曲線
      實驗室光路系統(tǒng)
       

      EOS測量及反演結果
      產品特點
      ● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域
      ● 抗損傷閾值高
      ● 非線性系數(shù)大
      ● CO2激光的SHG
      ● 多種尺寸可選
      ● 客戶導向的解決方案
      ● 接受客戶定制服務

      產品應用
      ● 太赫茲時域系統(tǒng)
      ● 太赫茲源晶體
      ● 中遠紅外氣體探測
      ●  CO2激光的SHG
      ● THZ實驗光源
      ● 太赫茲成像
       
      更新時間：2023/5/24 17:35:26
        
			        
      
			    
      
                                                				
			
      
			
      
		
      
	
      
	
    
      
		
      
			
      
				
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