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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

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硅鍺SiGe低噪聲低溫放大器 35dB±3dB 射頻頻率0.01-4.0GHz

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產(chǎn)品型號(hào)CITLF3

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海市

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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

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CITLF3硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器總覽CITLF3是一種硅鍺(SiGe)低噪聲低溫放大器，用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用

詳細(xì)介紹

CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器

總覽

CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器，用于射電天文學(xué)和量子物理應(yīng)用。當(dāng)冷卻至 12K 或更低時(shí)，該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時(shí)的低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB，輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無(wú)條件穩(wěn)定的。雖然放大器適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍，但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。該放大器由單個(gè)正直流電源供電，佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而，在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運(yùn)行的多放大器陣列。放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm，不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。

通用參數(shù)

主要特點(diǎn)

非常低的噪聲，在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內(nèi)平均為 4K。

由單個(gè)正直流電源供電。

以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

2 針 Winchester DC 連接器。

可選的直流偏置三通。

可選輸入保護(hù)二管。

尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。

性能特點(diǎn)@12K

射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

獲得

35dB±3dB

噪音溫度<4K

噪聲系數(shù)<0.06dB

佳直流電源

Vd=2.0V

ID=13.6mA

12 K時(shí)的電氣規(guī)格

Description	Typical	Minimum		Maximum
RF Frequency 射頻頻率	.03-5 GHz	0.01 GHz		4 GHz
Gain	33 dB	33 dB ± 3 dB
Noise Temperature 噪聲溫度	< 4 K	2.5 K	4 K
IRL (-20log\|S11\|)	-12 dB	< -10 dB
ORL (-20log\|S22\|)	-15 dB	< -10 dB
DC Voltage 直流電壓	2.0 V	1.2 V		3 V
DC Current	13.6 mA	2.7 mA		27.4 mA

300 K時(shí)的電氣規(guī)格

Description	Typical	Minimum		Maximum
RF Frequency	.03-5 GHz	0.01 GHz		4 GHz
Gain	30 dB	30 dB ± 5 dB
Noise Temperature	< 60K	40 K	74 K
IRL (-20log\|S11\|)	-10 dB	< -10 dB
ORL (-20log\|S22\|)	-15 dB	< -10 dB
DC Voltage	2.0 V	1.2 V		3 V
DC Current	14.6 mA	5.4 mA		27 mA

典型測(cè)試結(jié)果–12 K時(shí)的佳直流偏壓

典型測(cè)試結(jié)果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描

典型測(cè)試結(jié)果–12 K時(shí)的低頻噪聲

典型測(cè)試結(jié)果–12 K時(shí)的低頻S參數(shù)

典型測(cè)試結(jié)果–12 K時(shí)的直流偏壓掃描

CAD外殼圖紙

更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:17

關(guān)鍵詞：連接器

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