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武漢科琪電子有限公司
FF200R12KT4
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更新時間:2022-12-08 14:40:53瀏覽次數:685次
聯(lián)系我時,請告知來自 智能制造網Ic(A),Tc=80℃ | 200 | Vce(sat),Max(V) | 2.15 |
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Ton(us)? | 0.18 | Toff(us)? | 0.54 |
Rth(j-c),K/W | 0.135 | Pc(W) | 1100 |
封裝 | 62mm | 電路結構? | 半橋 |
英飛凌IGBT 半導體功率器件 IGBT的全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管 適用于工業(yè)整流、逆變、變頻、電鍍儲能等各行各業(yè).
FF200R12KT4 英飛凌IGBT模塊
技術參數:
• Ic(A),Tc=80℃ 200
• Vce(sat),Max(V) 2.15
• Ton(us) 0.18
• Toff(us) 0.54
• Rth(j-c),K/W 0.135
• Pc(W) 1100
• 封裝 62mm
• 電路結構 半橋
性能概要:
• 頻率控制逆變器驅動器提供的解決方案
• UL/ CSA認證與UL1557 E83336
• 工作溫度可達125°C(150°C)
• 降低了開關損耗
• 具有較高的電流能力
• 符合RoHS標準
優(yōu)點:
• 靈活性
• 電氣性能
• 可靠性
目標應用:
• 電機控制和驅動
• 太陽能系統(tǒng)解決方案
對于完整的太陽能電力解決方案的主導產品
• 不間斷電源(UPS)
• 商業(yè),農業(yè)和工程車輛(CAV)
• 感應加熱
• 工業(yè)焊接
FF200R12KT4是英飛凌EconoDUAL™系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層,這個附加層被稱為電場終止(fieldstop),這樣結合了 PT 和 NPT 技術的優(yōu)勢。該技術可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴展系列產品的功率范圍。硅片結溫可高達175℃,運行溫度可達150℃。低損耗,FF200R12KT4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運行結溫等優(yōu)點。主要應用在100KW光伏逆變器,電機驅動,電源等領域。
FF100R12KS4
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