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      InGaAs銦鎵砷探測器

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      廠商性質(zhì)其他

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      更新時間:2022-10-24 15:15:00瀏覽次數(shù):222次

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      產(chǎn)品簡介

      InGaAs銦鎵砷探測器

      詳細介紹

      InGaAs銦鎵砷探測器

      特性:

      ● 靈敏度高達1700nm

      ● 低暗電流

      ● 活動區(qū)面積可達0.7至7mm2


      型號

      有效面積

      光譜響應(yīng) (A/W)

      暗電流 (nA)@5V

      電容(pF)@5V

      帶寬 (nm)

      芯片

      封裝

      尺寸(mm)

      面積 (mm2)

      @650 nm / @1550 nm

      PC0.7-i

      LCC6.1

      1

      0.7

      0.05 / 0.95

      2

      70

      900…1700

      PC0.7-ix

      LCC6.1

      1

      0.7

      0.3 / 0.95

      2

      70

      600…1700

      PC0.7-ix

      TO52S1

      1

      0.7

      0.3 / 0.95

      2

      70

      600…1700

      PC7.1-i

      TO5i

      3

      0.7

      0.05 / 0.95

      25

      700

      900…1700



      關(guān)鍵詞:探測器
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