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      目錄:北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司>>電壓擊穿試驗儀>>電壓擊穿強度試驗儀>> 高壓電纜抗電壓擊穿強度試驗儀

      高壓電纜抗電壓擊穿強度試驗儀
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      聯(lián)系方式:劉偉查看聯(lián)系方式

      更新時間:2023-03-18 15:21:26瀏覽次數(shù):305評價

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      高壓電纜抗電壓擊穿強度試驗儀試驗方式:
      1、絕緣試樣高低溫空氣中擊穿、耐壓試驗或階梯試驗;
      2、絕緣試樣高低溫浸油中擊穿、耐壓試驗或階梯試驗;
      3、絕緣試樣空氣中擊穿、耐壓試驗或階梯試驗;
      4、絕緣試樣浸油中擊穿、耐壓試驗或階梯試驗;

      高壓電纜抗電壓擊穿強度試驗儀(廠家)

      強電場作用下絕緣材料的破壞

      在強電場中工作的絕緣材料,當所承受的電壓超越一臨界 值V穿時便喪失了絕緣材料性能而被擊穿,這種現(xiàn)象稱為 電介質(zhì)的擊穿,V穿稱為擊穿電壓。

      采用相應(yīng)的擊穿場強來比較各種材料的耐擊穿能力,材料所能承受的最大電場強度稱為材料的抗電強度或介電強度, 其數(shù)值等于相應(yīng)的擊穿場強(V/m):

      固體電介質(zhì)擊穿的特點:

      固體介質(zhì)的擊穿強度比氣體和液體介質(zhì)較高,約比氣體高兩個數(shù)量級,比液體高一個數(shù)量級:

      固體通常總是在氣體或液體環(huán)境媒質(zhì)中,對固體進行擊穿試驗時,擊穿往往發(fā)生在擊穿強度比較低的氣體或液體環(huán)境媒質(zhì)中,這種現(xiàn)象稱邊緣效應(yīng)。

      固體介質(zhì)的擊穿一般時破壞性的,擊穿后在試樣中留下貫穿的孔道、裂紋等不可恢復的痕跡。

      1、 電擊穿

      當固體電介質(zhì)承受的電壓超過一定數(shù)值VB時,就使用其中相當大的電流通過,使介質(zhì)喪失絕緣性能,這個過程就是電擊穿。擊穿場強:EB=VB/d

      EB被認為是介質(zhì)承受電場作用力的一種量度,是材料介電特性之一。

      從宏觀看,擊穿場強約100MV/m,是相當大的;但從微觀來看,約10-2V/A,是很低的。這說明擊穿不是由于電場對原子直接作用導致的,而是一種集體現(xiàn)象。

      通常當電場接近擊穿場強時,材料中的電流主要是電子型的。

      其擊穿機制主要有:碰撞電離理論和雪崩理論,還有齊納擊穿或稱隧道擊穿。

      電擊穿理論1:碰撞電離理論(主要)

      在碰撞電離理論中,碰撞機制一般應(yīng)考慮電子和聲子的碰撞,同時也應(yīng)該計及雜 質(zhì)和缺陷對自由電子的散射。若外加電場足夠高,當自由電子在電場中獲得的能量 超過失去的能量時,自由電子便可在每次碰撞后積累起能量,最后發(fā)生電擊穿。

      電擊穿理論2:雪崩理論(主要)

      雪崩理論是在電場足夠高時,自由電子從電場中獲得的能量在每次碰撞后都能產(chǎn) 生一個自由電子。因此往n次碰撞后就有2n個自由電子,形成雪崩或倍增效應(yīng)。這些 電子一方面向陽極遷移,一方面擴散,因而形成一個圓柱形空間,當雪崩或倍增效 應(yīng)貫穿兩電極時,則出現(xiàn)擊穿。

      其他電擊穿理論:隧道擊穿 當外電場足夠高時,由于量子力學的隧道效應(yīng),禁帶電子就可能進入導帶。在強 場作用下,自由電子被加速,引起電子碰撞電離。這種電子雪崩過程同樣引起很大 的電流,但這并不導致晶體的破壞。導致晶體擊穿的原因是由于隧道電流的增加, 晶體局部溫度提高,致使晶體局部熔融而破壞。這個機理首先由齊納提出的,因此 稱為齊納擊穿。

      高壓電纜抗電壓擊穿強度試驗儀測試原理

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      1、擊穿、 耐壓試驗就是對被試品施加一定的電壓,并保持一定時間,以考慮被試品絕緣承受各種電壓的性能。絕緣電阻和吸收比試驗、泄漏電流和直流耐壓試驗以及介質(zhì)損失角測量試驗等雖然能發(fā)現(xiàn)很多絕緣缺陷,但因其試驗電壓低于被試品的工作電壓,往往對一些絕緣缺陷還不能及時發(fā)現(xiàn),為了進一步暴露設(shè)備缺陷,檢查電氣設(shè)備絕緣水平和確保是否能投入運行,有必要進行交流擊穿及耐壓試驗。

      2、它是鑒定電氣設(shè)備絕緣強度有效最直接的方法,它對于判斷電器設(shè)備能否投入運行具有決定性的意義。交流耐壓試驗的電壓、波形、頻率和在被試品絕緣內(nèi)部電壓的分布均符合實際運行情況,因此,交直流擊穿、耐壓試驗能有效地發(fā)現(xiàn)電氣設(shè)備存在的較危險的集中性缺陷。試驗電壓越高,發(fā)現(xiàn)絕緣缺陷的有效性越高。


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