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概述：

電線電纜電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀采用觸摸屏或計(jì)算機(jī)控制，是通過(guò)給材料持續(xù)施加電壓測(cè)試固體絕緣材料的介電強(qiáng)度、擊穿強(qiáng)度、電氣強(qiáng)度、耐壓強(qiáng)度、擊穿電壓、試驗(yàn)電流、擊穿電流的材料耐高壓絕緣性能的試驗(yàn)設(shè)備，也可在不同溫度不同環(huán)境下測(cè)試?？蓪?shí)時(shí)查看試驗(yàn)曲線，試驗(yàn)后生成各種文檔保存或打印試驗(yàn)報(bào)告。ZJC系列機(jī)型是新升級(jí)的落地式機(jī)型，占地空間小，外表美觀。北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器試驗(yàn)空間采用全封閉并有多項(xiàng)安全保護(hù)措施，已達(dá)到零安全隱患。是替代進(jìn)口設(shè)備的產(chǎn)品。產(chǎn)地北京房山。

電線電纜電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀主要適用于固體絕緣材料如樹(shù)脂和膠、浸漬纖維制品、云母及其制品、塑料復(fù)合制品、陶瓷和玻璃等介質(zhì)在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸?qiáng)度和耐電壓時(shí)間的測(cè)試；該儀器采用計(jì)算機(jī)控制，可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速、準(zhǔn)確的采集、處理，并可存取、顯示、打印。

是測(cè)試有關(guān)產(chǎn)品耐電壓擊穿強(qiáng)度的重要儀器。依靠該儀器提供的模擬試驗(yàn)條件，可以直觀、準(zhǔn)確、快速、可靠地對(duì)各種被測(cè)對(duì)象進(jìn)行擊穿電壓，漏電流等各項(xiàng)測(cè)試。儀器采用觸摸屏和計(jì)算機(jī)雙重操控，可以方便地把試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理、曲線顯示及打印。本儀器經(jīng)過(guò)多年不斷改進(jìn)完善，日趨成熟，具有很高的安全性和可靠性，受到了用戶的好評(píng)。
電介質(zhì)的擊穿：

現(xiàn)象：當(dāng)施加于電介質(zhì)的電場(chǎng)強(qiáng)度增大到一定程度時(shí)，電介質(zhì)由絕緣狀態(tài)突變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)，此躍變現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿。

表征：介質(zhì)發(fā)生擊穿時(shí)，通過(guò)介質(zhì)的電流劇烈地增加，

其特征為：

1、介質(zhì)擊穿：電極間的短路現(xiàn)象；是電介質(zhì)的基本性能之一；決定了電介質(zhì)在強(qiáng)場(chǎng)下保持絕緣性能的極限能力；成為決定電工、電子設(shè)備最終壽命的重要因素。

2、介電強(qiáng)度：絕緣介質(zhì)所能承受的不產(chǎn)生介質(zhì)擊穿的最大場(chǎng)強(qiáng)。

絕緣技術(shù)向高場(chǎng)強(qiáng)方向發(fā)展：

3、高壓輸電；高能粒子加速器；半導(dǎo)體器件；集成電路

4、介質(zhì)擊穿的應(yīng)用：氣隙開(kāi)關(guān)、放電管，局部放電光、熱、機(jī)械力，等離子體對(duì)細(xì)胞膜的作用  

介質(zhì)擊穿主要分為熱擊穿和電擊穿兩大類

熱擊穿：由于介質(zhì)內(nèi)熱的不穩(wěn)定過(guò)程所造成（非本征性質(zhì)）

與材料性能、絕緣結(jié)構(gòu)、電壓種類、環(huán)境溫度有關(guān)

電擊穿

是介質(zhì)在強(qiáng)電場(chǎng)作用下產(chǎn)生的本征物理過(guò)程

度量介質(zhì)耐受電場(chǎng)作用的能力——耐電強(qiáng)度

具有可逆與不可逆的擊穿形式

氣體介質(zhì)的電擊穿

                      均勻電場(chǎng)中氣體的導(dǎo)電特性

A段符合歐姆定律；B段電流飽和；C段電流驟增，

擊穿表現(xiàn)形式：火花放電，輝光放電，電暈放電，電弧放電

湯遜理論——碰撞電離

（1）載流子的產(chǎn)生過(guò)程

（2）電子附著效應(yīng)

（3）碰撞電離理論模型

                        電子雪崩中的電荷分布

（1）載流子的產(chǎn)生過(guò)程：碰撞電離，光致電離，熱電離，電極表面發(fā)射

碰撞電離：碰撞后粒子的變化過(guò)程：① 激發(fā)——電子得到能量后，躍遷到更高的能級(jí)上，原子、分子成為激發(fā)態(tài)。② 電離——電子脫離原子核束縛成為自由電子，失去電子的原子、分子成為離子。△u_i+A→A⁺+e       △u_i+(AB) →(AB)⁺+e。③ 復(fù)合——正離子與電子碰撞復(fù)合成中性原子或分子，并放出能量。A⁺+e→A+△u_i       (AB)⁺+e→(AB) +△u_i。④ 附著——電子與中性原子、分子碰撞，由于原子有較大的電子親合力而形成負(fù)離子，放出能量。A+e→A^-+△u_i          (AB)+e→(AB)^-+ △u_i

外電場(chǎng)使自由電子加速運(yùn)動(dòng)，動(dòng)能增加并與原子（粒子）發(fā)生碰撞，當(dāng)核外電子所獲能量大于克服原子核束縛所需能量時(shí)，引起碰撞電離。

碰撞電離系數(shù)a：一個(gè)電子在電場(chǎng)力作用下，走過(guò)單位距離所產(chǎn)生的碰撞電離次數(shù)。又稱湯遜第一電離系數(shù) 單位：1/米

電子自由行程x：電子在兩次碰撞間所走過(guò)的路程。自由行程愈大®電子獲得能量愈大®碰撞電離次數(shù)增加®碰撞電離系數(shù)a增大

式中：p為 壓力， A、B 為與E、p無(wú)關(guān)的函數(shù)，E為電場(chǎng)強(qiáng)度。Ap 為a的極限值

離子碰撞電離系數(shù)b——湯遜第二電離系數(shù)，

由于離子質(zhì)量大，b << a ，故b對(duì)載流子貢獻(xiàn)小。

光致電離

頻率為n的光照射氣體時(shí)，當(dāng)光子能量大于氣體分子電離能時(shí)：hv≥u_i

可引起氣體光致電離：A+hv→A⁺+e

光的來(lái)源：

①由外來(lái)射線產(chǎn)生，短波射線才有電離氣體能力。

②分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，或異性離子復(fù)合時(shí)產(chǎn)生光子。

熱電離:

按氣體分子能量均分原理，氣體溫度為T時(shí)，分子動(dòng)能：1/2mv2=1/2kT

若兩個(gè)粒子碰撞時(shí)總能量kT≥ui時(shí)，氣體發(fā)生熱電離。

熱電離是ji高溫度下的現(xiàn)象，上萬(wàn)度以上才有顯著的熱電離發(fā)生。

電極表面發(fā)射

場(chǎng)致發(fā)射：J=AE²e^-B/E0

熱電子發(fā)射：J=AT²e^{(βs√E/kT-ΦD)}

光致發(fā)射：hv≥u_i

其他具有足夠能量的粒子撞擊電極表面，引起電極發(fā)射。用系數(shù)g反映電極發(fā)射的能力，稱為湯遜第三電離系數(shù)。

功函數(shù)小的金屬材料作電極，易產(chǎn)生表面發(fā)射。

（2）電子附著效應(yīng)

電子親和力大的元素，吸附電子而形成質(zhì)量大、速度慢的負(fù)離子（氧、SF₆）；

使自由電子數(shù)減少，電離降低，抑制電流倍增。

電子附著系數(shù)h：在電場(chǎng)作用下，電子走過(guò)單位距離附著于中性粒子的電子數(shù)，即生成的負(fù)離子數(shù)或減少的電子數(shù)。

電離使電子增加dn=n adx,

附著使電子數(shù)減少dn_-=n h dx

故電子凈增為： dn- dn_-= n （a- h ）dx

相當(dāng)于使電離系數(shù)a減小。

(3)碰撞電離理論模型

陰極有n₀個(gè)電子，經(jīng)碰撞電離到達(dá)陽(yáng)極產(chǎn)生n_d=n₀e^αd