目錄:北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司>>電壓擊穿試驗(yàn)儀>>擊穿電壓試驗(yàn)儀>> 擊穿電壓試驗(yàn)儀
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1. 概念
v 介質(zhì)的擊穿:外加電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)某一臨界值時(shí),材料中形成 或存在電荷順利通過(guò)的擊穿“隧道" ,使材料破壞,介質(zhì)由 介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)的現(xiàn)象。
v 介電強(qiáng)度:使介質(zhì)發(fā)生擊穿的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度。
2. 電擊穿
v 固體介質(zhì)電擊穿的碰撞理論:
™強(qiáng)電場(chǎng)作用下,固體導(dǎo)帶中因冷或熱發(fā)射存在一些電子, 這些電子被加速,獲得動(dòng)能;
™高速電子與晶格振動(dòng)相互作用,把能量傳遞給晶格;
™一定溫度和場(chǎng)強(qiáng)下平衡時(shí),固體介質(zhì)有穩(wěn)定的電導(dǎo);
™當(dāng)電子從電場(chǎng)中獲得能量大于傳遞給晶格振動(dòng)能量時(shí), 電子動(dòng)能越來(lái)越大;
™大到一定值,電子與晶格振動(dòng)的相互作用導(dǎo)致電離產(chǎn)生 新電子,使電子數(shù)目迅速增加,電導(dǎo)進(jìn)入不穩(wěn)定狀態(tài), 發(fā)生擊穿。
3. 熱擊穿
v 熱擊穿的本質(zhì):
™處于電場(chǎng)中的介質(zhì),由于介質(zhì)損耗而受熱;
™當(dāng)外加電壓足夠高時(shí),散熱和發(fā)熱從平衡狀態(tài)轉(zhuǎn)入非平 衡狀態(tài);
™若發(fā)熱量比散熱量多時(shí),熱量就在介質(zhì)內(nèi)部聚集,使介 質(zhì)溫度升高;
™溫度升高又導(dǎo)致電導(dǎo)率和損耗的進(jìn)一步增加,介質(zhì)的溫 度將越來(lái)越高,直至出現(xiàn)yong久性破壞。
二、無(wú)機(jī)材料的擊穿
1. 不均勻介質(zhì)中的電場(chǎng)分配
v 假設(shè)不均勻介質(zhì)結(jié)構(gòu)由兩層介質(zhì)組成,在系統(tǒng)上加直流電壓 U,利用串聯(lián)模型導(dǎo)出:
2. 電離擊穿
™材料中存在氣孔,導(dǎo)致均勻性降低;
™氣體的電導(dǎo)率和介電常數(shù)很小,加上電壓后電場(chǎng)較高, 而氣體本身抗電強(qiáng)度比固體介質(zhì)低得多;
™發(fā)生強(qiáng)烈的氣體放電,即電離,產(chǎn)生大量的熱量;
™氣孔附近局部區(qū)域強(qiáng)烈過(guò)熱,在材料內(nèi)部形成相當(dāng)高的 內(nèi)應(yīng)力;
™當(dāng)熱應(yīng)力超過(guò)一定限度時(shí),材料喪失機(jī)械強(qiáng)度而發(fā)生破 壞,以致介電強(qiáng)度喪失,造成擊穿;
™這種擊穿稱為電-機(jī)械-熱擊穿。v 介電強(qiáng)度與樣品的尺寸有關(guān):樣品尺寸減小,在一定應(yīng)力下,
存在可導(dǎo)致材料擊穿的缺陷相應(yīng)減小。
v 電壓老化或化學(xué)擊穿:大量的氣孔放電,在介質(zhì)內(nèi)部引起不 可逆的物理化學(xué)變化,使介質(zhì)擊穿電壓下降。
3. 表面放電和邊緣擊穿
(1) 表面放電:
™固體材料常處于氣體媒介中,擊穿時(shí)介質(zhì)本身未擊穿, 但有火花掠過(guò)它的表面。
(2) 邊緣擊穿:
™電極邊緣常常電場(chǎng)集中,因而擊穿常在電極邊緣發(fā)生。
關(guān)鍵詞:
v 介電性、介電強(qiáng)度、介電常數(shù);
三、擊穿電壓試驗(yàn)儀設(shè)備參數(shù):
1、輸入電壓:AC 220V
2、輸出電壓AC: 0~50KV;DC:0~50KV
3、輸出功率:5KVA
4、測(cè)量范圍: 0~50KV
5、電壓測(cè)量誤差:≤ 2%
6、升壓速率:0.1kV/s ~10 kV/s
7、耐壓試驗(yàn)電壓:10~50KV連續(xù)可調(diào)
8、耐壓時(shí)間: 0~4H(無(wú)電流導(dǎo)通情況下)
9、電源:220V±10%的單相交流電壓和50Hz±1%的頻率
10、電源電壓穩(wěn)定度外界電源電壓波動(dòng)≤10%
11、長(zhǎng)×寬×高1100mm×800mm×1450mm
12、設(shè)備自重:200kg
13、運(yùn)行環(huán)境溫度:15 ~ 30℃,相對(duì)濕度:30%~85%能夠穩(wěn)定運(yùn)行。
14、接地要求儀器需要單獨(dú)接地,接地附合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求
15、接地電阻要求≤4Ω(用戶實(shí)驗(yàn)室自行準(zhǔn)備)
16、型號(hào):ZJC-50E
17、測(cè)試材料:絕緣材料類;
18、符合標(biāo)準(zhǔn):GB/T1408.1-2016;IEC60243-1:2013;GB/T1408.2-2016;IEC60243-2:2013;ASTM D149;GB/T1695-2005;
19、可選配:高溫空氣中測(cè)試;高溫油中測(cè)試;
四、相關(guān)產(chǎn)品:
ZJC-20E擊穿電壓試驗(yàn)儀/介電強(qiáng)度試驗(yàn)儀GB/T1408.1-2016;IEC60243-1:2013
ZJC-50E電壓擊穿/介電強(qiáng)度試驗(yàn)儀GB/T1408.2-2016;IEC60243-2:2013
ZJC-100E電壓擊穿/介電強(qiáng)度試驗(yàn)儀ASTM D149
ZJC-150E電壓擊穿/介電強(qiáng)度試驗(yàn)儀GB/T1695-2005
ZST-121體積表面電阻測(cè)試儀GB/T 31838.2-2019; IEC 62631-3-1:2016;GB/T1410
ZST-122體積表面電阻測(cè)試儀 GB/T 31838.3-2019; IEC 62631-3-2:2015;GB/T1410
ZST-212全自動(dòng)體積表面電阻率測(cè)試儀 GB/T 31838.4-2019; IEC 62631-3-3:2015
ZJD-A介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀GB/T1693-2007;GB/T1409-2006
ZJD-B介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀ASTM D150-11;GB/T1693-2007
ZJD-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀GB/T1409-2006;ASTM D150-11
QS37a介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀GB/T1409-2006;IEC60250
ZJD-87介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)定儀GB/T1409-2006;IEC60250
ZDH-20kV耐電弧試驗(yàn)機(jī)GB-T 1411-2002;IEC61621-1997
LDQ-5全自動(dòng)漏電起痕試驗(yàn)儀 GB/T4207-2012;IEC60112-2009
ZLD-6kV高壓漏電起痕試驗(yàn)儀GB/T 6553-2014;IEC 60587-2007;ASTMD 2303-2013
CR-400A毛細(xì)管流變儀 GB/T25278-2010
TR-200A轉(zhuǎn)矩流變儀
M-200A橡塑摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)GB/T3960-2016
XRW-300HB熱變形維卡溫度測(cè)定儀GB/T1633、GB/T1634、GB/T8802、ASTM D1525、ASTM D648
XNR-400H熔體流動(dòng)速率測(cè)定儀GBT 3682.1-2018 ;ASTM D1238-2013;
CZF-5水平垂直燃燒試驗(yàn)儀GB-T2408-2008;(ANSI/UL94 -2006);GBT10707-2008
JF-5氧指數(shù)測(cè)定儀GB/T 2406.2-2009
ZRS-2灼熱絲試驗(yàn)儀GB/T5169.10-2006;GB5169.11;GB4706.1
ZY-2針焰試驗(yàn)儀GB/T4706.1-2005;GB5169.5
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