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      WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

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      具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

      產(chǎn)品型號(hào)

      品       牌

      廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

      所  在  地北京市

      聯(lián)系方式:謝偉華查看聯(lián)系方式

      更新時(shí)間:2022-08-19 17:17:43瀏覽次數(shù):298次

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      經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

      商鋪產(chǎn)品:91條

      所在地區(qū):北京北京市

      聯(lián)系人:謝偉華 (經(jīng)理)

      產(chǎn)品簡(jiǎn)介

      WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),Z大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

      詳細(xì)介紹

      WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置


      關(guān)鍵詞:晶圓,均勻,6寸


      晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,降低后續(xù)高昂的封裝成本。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,要求整個(gè)吸盤表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),Z大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具。

      主要技術(shù)參數(shù);

      1、溫度:室溫-200℃,650℃,1000℃,

      2、加熱速率:40℃/min,

      3、加熱臺(tái)尺寸:6寸,8寸,12寸等可以定制

      4、控溫精度:±1 ℃

      5、加熱溫度均勻度允許誤差:±1℃ 

      6、加熱臺(tái)需可抗壓:100KN

      7、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

      8、表面處理:鍍膜,鍍金或是黑礬石

      9、熱臺(tái)材質(zhì):不銹鋼或銅

      10、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試


                     6寸晶圓在不同溫度下均勻性



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