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PETG環(huán)保薄膜形貌測量
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訪問次數(shù)：190更新時間：2022-05-18 11:48:22
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產(chǎn)品介紹
MEMS形貌測量
測量要求
掃描MEMS芯片表面三維形貌，提取profile測量其上表面刻蝕的一些段差
主要特點概覽
1.非接觸式測量，一體化設計
2.三維形貌掃描，多功能數(shù)據(jù)處理
3.適用于各種材料的精確測量
4.使用簡單，裝拆方便
5.掃描速度快，定位精度高
6.±0.5到±1μm重復精度保證
7.穩(wěn)定性高，抗力強
測量結(jié)果
上表面刻蝕的段差高度約為300μm左右
解決現(xiàn)階段測量裝置存在的問題
1.對測量材料有一定要求
2.接觸式測量，對測量材料有損壞
3.測量范圍小，位置不確定，測定困難
4.測量速度慢、精度低，測量誤差大
5.結(jié)構(gòu)復雜，成本高
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