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      廣州立功科技股份有限公司

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      ISSI DRAM
      參考價: 面議
      具體成交價以合同協(xié)議為準
      • 產品型號
      • 品牌
      • 其他 廠商性質
      • 所在地

      訪問次數(shù):350更新時間:2021-09-24 18:17:45

      聯(lián)系我們時請說明是智能制造網上看到的信息,謝謝!
      產品簡介
      DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,常見的系統(tǒng)內存。幾乎所有的 DRAM 作為計算機系統(tǒng)中的離散元器件存在。DRAM 的硅工藝經過顯著地定制,因此其無法與 CPU 一起集成。有許多樣式的 DRAM 可滿足市場的各種需要。雙數(shù)據(jù)速率 DDR 存儲器是臺式機和服務器計算機中見的 DRAM 類型。DDR4 是一代的 DDR 存儲器。低功......
      產品介紹

      DRAM 單元只是一個存儲電容器和訪問晶體管。一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會放電,代表0的電容會吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對電容進行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認為其代表0,并把電容放電,藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。

      低、中、高容量DRAM

      溫度范圍
      -40℃~125℃

      車規(guī)級產品

      PSC 25nm技術

      大部分產品
      支持ECC

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