1、應用范圍: VICMT-MCR磁控電抗器控制器適用于0.4~220KV電壓等級的電網(wǎng)中。可以連續(xù)、平滑的調(diào)節(jié)輸出電抗器的無功,主要用在負荷變化頻繁和不連續(xù)性的煤礦、化工以及冶金等復雜的用電領域。本身具有無觸點輸出功能,可避免投切瞬間產(chǎn)生火花??梢灶l繁動作,極大地增加了其穩(wěn)定性和利用率。比一般的無功補償設備具有更多的作用和更高的穩(wěn)定性。 2、技術特點: 2.1.VICMT-MCR磁控電抗器控制包括控制部分和磁閥箱輸出部分。 2.2.可對1~2臺變壓器、兩段母線自動判斷運行方式,并自動選擇相應的調(diào)控決策。 2.3.可實現(xiàn)對磁控電抗器本體進行投切控制、對已投磁控電抗器進行自動連續(xù)調(diào)節(jié)控制。采樣MCR的同步電壓作為可控硅導通的基準電壓。 2.4.磁閥箱輸出為無觸點輸出控制,避免了對系統(tǒng)的沖擊,同時延時補償設備的使用壽命。 2.5.VICMT-MCR控制器采用大屏幕液晶顯示,簡易操作,使用方便。 2.6.具有運行數(shù)據(jù)查看功能和保護記錄功能。保護記錄包括低壓側過、欠壓,MCR電流保護等。 2.7.可檢測磁控電抗器的諧波電壓和諧波電流并具有諧波保護功能。 2.8.具有RS485通訊接口、與磁閥箱通訊采用光纖通訊接口,極大地提高通信的抗*力。 3、主要技術參數(shù): 3.1. 外形尺寸:484mm×181mm×108mm(長×高×深) 3.2. 工作電源:AC/DC220V±15% 3.3. 運行環(huán)境: Ø 運行溫度:-20℃~+75℃或者-40℃~+85℃ Ø 相對濕度:≤95% Ø 污穢等級:Ⅲ級 3.4. 輸入模擬量: Ø 輸入路數(shù):最多13路 Ø PT輸入:0~120V Ø CT輸入:0~5A或者0~1A(二選一,根據(jù)技術協(xié)議選定) Ø 綜合誤差:<0.5% 3.5. 輸出回路:控制可控硅0~180°的導通角輸出、連續(xù)可調(diào)。 3.6. 開入量: Ø 1路高壓母聯(lián)位置信號 Ø 1路低壓母聯(lián)位置信號 Ø 1路1#低壓開關位置信號 Ø 1路2#低壓開關位置信號 Ø 1路電容出線柜位置信號 Ø 1路調(diào)感轉換開關位置信號 Ø 1路輕瓦斯保護位置信號 Ø 1路重瓦斯保護位置信號 Ø 1路溫度告警開入 Ø 1路溫度跳閘開入 
4、磁閥箱輸出控制工作原理: 當晶閘管K1、K2均不導通時,可控電抗器相當于空載,容量很小;若在電源電壓的正負半周內(nèi)輪流觸發(fā)導通K1、K2,則可在繞組回路中產(chǎn)生一定大小的直流偏磁電流,其在兩并聯(lián)繞組中自成回路,不流向外部電路。該控制電流所產(chǎn)生的直流磁通使工作鐵芯柱飽和,可控電抗器等值容量增大。調(diào)節(jié)可控硅觸發(fā)角的大小可以改變鐵芯磁飽和度,從而達到控制電抗器容量的目的。 磁控電抗器接線圖和磁閥箱接線原理圖如下:   |