沈陽(yáng)芯碩科技有限公司
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訪問(wèn)次數(shù)：365更新時(shí)間：2022-12-12 13:21:44
5. 嵌入式閃存（FLASH）
5.1. 模塊介紹
華大電子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模塊，該模塊控制 FLASH 的擦除、編程以及讀取數(shù)據(jù)。上電時(shí)會(huì)從 FLASH 中讀取相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)以及初始化配置，保證芯片程序在正確且安全的情況下運(yùn)行。
5.2. 功能特點(diǎn)
• 支持高達(dá) 64K 主閃存空間的 FLASH
• 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
– 主閃存空間 64K 字節(jié)
– 副閃存空間 4.5K 字節(jié)
• 指出對(duì)閃存空間的擦寫、編程和讀操作
• 支持對(duì)閃存空間訪問(wèn)限制和擦寫保護(hù)
• 支持低功耗模式
5.3. 功能說(shuō)明
5.3.1. 閃存結(jié)構(gòu)
閃存空間由 32 位寬的存儲(chǔ)單元組成，既可以存代碼又可以存數(shù)據(jù)。主閃存塊按 32 頁(yè)（每頁(yè) 1K 字節(jié)）分塊，以頁(yè)為單位設(shè)置寫保護(hù)（參見(jiàn)存儲(chǔ)保護(hù)相關(guān)內(nèi)容）。
注：當(dāng)主閃存空間 64KB 不夠存放用戶程序時(shí)，可把副閃存空間的扇區(qū) 0 至扇區(qū) 7 擴(kuò)展為程序存放空間，即支持 68KB的程序存放空間。
5.3.2. 閃存讀保護(hù)
讀操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成，用于存放指令或者數(shù)據(jù)。當(dāng) NVR8 用戶配置區(qū)經(jīng)過(guò)自定義的保護(hù)配置后,SWD 連接時(shí)會(huì)對(duì) FLASH 的代碼數(shù)據(jù)執(zhí)行保護(hù)機(jī)制。
注：FLASH 運(yùn)行在 24MHz 工作頻率，當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘超過(guò) 30MHz 時(shí)，需要配置 TIMER_REG0 的 RC 參數(shù)，增加時(shí)鐘周期數(shù)再把 FLASH 接口的數(shù)據(jù)寫到寄存器。
5.3.3. 閃存擦除和燒寫操作
燒寫和擦除操作在整個(gè)芯片工作電壓范圍內(nèi)都可以完成。燒寫和擦除操作由下列 6 個(gè)寄存器完成，先根據(jù)燒寫的時(shí)鐘配置好燒寫時(shí)序(TIME_REG1)，再配置燒寫密碼，配置好編程地址，最后配置好編程數(shù)據(jù)，即可開(kāi)始執(zhí)行燒寫，然后等待操作結(jié)束。
燒寫操作相關(guān)寄存器
• 時(shí)序寄存器 1 ：TIME_REG1
• 密碼寄存器 ：NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD
• 編程地址寄存器：PROG_ADDR
• 編程數(shù)據(jù)寄存器：PROG_DATA
• 狀態(tài)寄存器 ：DONE
擦除操作相關(guān)寄存器：
• 擦除控制寄存器：ERASE_CTRL
注：需要注意的是，FLASH 在擦除/燒寫的同時(shí)不可以從 FLASH 取數(shù)據(jù)，所以 FLASH 在擦除/燒寫過(guò)程中會(huì)讓總線停頓，
直到完成后才能繼續(xù)運(yùn)行。
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