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武漢普賽斯儀表有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)HCPL100
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2022-08-19 17:18:35瀏覽次數(shù):354次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 智能制造網(wǎng)電流脈寬? | 20μs~500μs | 脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
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輸出脈沖電流 | 3~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
1000A 10us大電流源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
1000A 10us大電流源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。
設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。
器件 | 測(cè)試項(xiàng) |
肖特基二極管,整流橋堆 | 瞬時(shí)前向電壓 |
IGBT器件 | IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗 |
IGBT模塊,IPM模塊 | IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時(shí)前向電壓、鍵合線阻抗 |
技術(shù)指標(biāo)
參數(shù) | 指標(biāo) |
電流脈寬 | 20μs~500μs |
脈沖電流上升沿時(shí)間 | <10μs |
輸出脈沖電流 | 3~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
輸出負(fù)載電壓要求 | <12V@1000A |
DUT電壓測(cè)量 | 2獨(dú)立通道 |
遠(yuǎn)端測(cè)量,峰值電壓測(cè)量(取樣點(diǎn)可配置) | |
0~12V量程,精度0.1%FS±3mV | |
電流脈沖輸出間隔時(shí)間 | 1秒 |
電流脈沖峰值功率 | <12kW |
多設(shè)備并聯(lián) | 支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流,如3000A |
輸出極性反轉(zhuǎn) | 支持 |
觸發(fā)信號(hào) | 支持trig in及trig out |
通訊接口 | RS232 |
輸入電壓 | 90~264VAC、50/60Hz |
輸入功率 | <500W |
尺寸 | 長(zhǎng)516 x寬250 x高160mm |
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
更多有關(guān)1000A 10us大電流源的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。
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商鋪:http://towegas.com/st243196/
主營(yíng)產(chǎn)品:源表,數(shù)字源表,脈沖源表,源測(cè)單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,脈沖LIV,激光脈沖電流源,插卡式多通道源表
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