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      1200℃晶體生長爐系列

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      • 1200℃晶體生長爐系列

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      • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
      • 所在地 合肥市

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      更新時間:2020-12-19 15:03:47瀏覽次數(shù):478

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      產(chǎn)品簡介

      1200℃晶體生長爐系列三個溫區(qū)都采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可程序控溫,分別由3個獨立的溫控系統(tǒng)控制

      詳細介紹

      1200℃晶體生長爐系列

      • 立式三溫區(qū)管式爐

      • 工作電壓:AC220V 單相

      • zui大功率:  5KW

      • 三個加熱區(qū):  150mm+300mm+150mm

      • 總溫區(qū)長度:600mm

      • zui高工作溫度: 1200°C(<1hr)

      • 連續(xù)工作溫度: 1100°C

      • 三個溫區(qū)都采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可程序控溫,分別由3個獨立的溫控系統(tǒng)控制

      • 用戶需要探索所長晶體合適的溫度梯度

      • 調(diào)節(jié)三個加熱區(qū)的溫度,來形成不同的溫度梯度

      • 所配石英管尺寸 :130mm O.D x 120mm I.D x 600mm L

      (用于保護電阻加熱絲防止晶體生長過程中的腐蝕性揮發(fā)物,對電阻絲的腐蝕)

      • 在上部爐膛處開有一個Φ25mm的斜觀察孔,用于在晶體生長過程中對籽晶和晶體液面進行觀察。

      1200℃晶體生長爐系列

      • 采用三塊歐陸儀表Eurotherm控制溫度,控溫精度可達±0.1℃

      • 采用PID方式控溫,可設置28段升降溫程序

      • 配置3根Ω鎧裝K型熱電偶

      ?合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年,是美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體(A-Z)系列材料研發(fā)生產(chǎn)、濺射靶材制備和材料實驗室及電池研發(fā)全套設備。公司從成立之初研發(fā)高溫超導薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起,目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應商。設備研發(fā)的各種高溫爐,大尺寸高溫高壓爐,熱等靜壓爐,單晶生長爐等,用于石墨烯、高通量、蒸發(fā)鍍膜、高溫超導薄膜、超導塊材和線材的制備設備,涉及新能源材料,電池制備等成套設備,并為科研工作者提供材料研究解決方案,已經(jīng)成為企業(yè)。 

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