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詳細(xì)介紹
IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測(cè)試設(shè)備是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口（根據(jù)客戶需求）等多個(gè)部分。
IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測(cè)試設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
配置 | 測(cè)試范圍 | 測(cè)試參數(shù) | 條件 | 范圍 | |
電壓 1000V | IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管 | EAS/單脈沖雪崩能量 | VCE | 20V-4500V | 20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
電流 200A | MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管 | EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 | Ic | 1mA-200A | 1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
| DIODEs 二極管 | IAS/單脈沖雪崩電流 | Ea | 1J-2000J | 1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
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| PAS/單脈沖雪崩功率 | IC檢測(cè) | 50mV/A（取決于傳感器） | |
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| 感性負(fù)載 | 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH | |
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| 重復(fù)間隙時(shí)間 | 1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次 | |
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