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HastelloyB-2無縫管報(bào)價316不銹鋼和Inconel625合金在氯化物熔鹽中,基體表面氧化膜與熔鹽反應(yīng)生成的,穿過氧化膜到達(dá)氧化膜/基體界面與基體反應(yīng)生成金屬氯化物,金屬氯化物向外逸出,到達(dá)氧化膜/基體界面處氧壓較高的地方又生成,繼續(xù)向里滲入,形成循環(huán),造成基體材料的不斷腐蝕。(3)316不銹鋼表面制備的Ni-SiC復(fù)合鍍層,具有較高的硬度和耐磨性,在氯化物熔鹽中的極化曲線具有明顯的鈍化征,表明其在氯化物熔鹽中具有很好的耐蝕性,當(dāng)SiC含量為40g/L時,耐蝕性佳。在進(jìn)一步涂層致密度和與基體粘結(jié)性能的基礎(chǔ)上,Ni-SiC復(fù)合鍍層有望應(yīng)用于太陽能熱發(fā)電氯化物熔鹽腐蝕防護(hù)領(lǐng)域。

無錫國勁合金*生產(chǎn)astelloyB-3、G3030、310S、G4169、astelloyB-2、S31254、Nickel201、724L、astelloyC-4、Nickel200、Incoloy925、N10276、07Cr18Ni11Nb等材質(zhì)。

通過單晶取向并分別采用過渡液相(TLP)法和自擴(kuò)散法連接單晶合金,可分別制備CMSX-4和SXG3合金晶界組態(tài)可控的雙晶合金。單晶連接在1290 ℃/10-a的條件下進(jìn)行,保溫時間為12-24h。TLP法連接鑄態(tài)CMSX-4合金的中同步完成了合金的固溶處理。其中,自擴(kuò)散連接藝制備的晶界沒有新相析出,是晶界組態(tài)可控雙晶合金的制備。晶界組態(tài)對含Re鎳基雙晶合金晶界處胞狀組織轉(zhuǎn)變影響的研究表明:SXG3雙晶合金[001]傾轉(zhuǎn)晶界在1100 ℃發(fā)生胞狀組織轉(zhuǎn)變的臨界取向差區(qū)間為20～25°:當(dāng)晶界取向差≤20°時,晶界處形成一條γ相膜并析出粒狀R相;當(dāng)晶界取向差多25°時,晶界處形成胞狀晶團(tuán)。當(dāng)[001]傾轉(zhuǎn)晶界的基準(zhǔn)面不同時,晶界胞狀晶團(tuán)生長方向存在差異。解決此問題簡單、經(jīng)濟(jì)的是在鐵素體不銹鋼表面制備一層抗氧化、導(dǎo)電涂層。NiFe2O4尖晶石與鐵素體不銹鋼連接體CTE匹配良好,高溫下展現(xiàn)出優(yōu)異的阻Cr能力,并且高溫電導(dǎo)率遠(yuǎn)大于富Cr氧化膜,是一種十分的涂層。本文通過電沉積Ni-Fe合金,復(fù)合電沉積NiFe-Nb、NiFe-CeO2合金再經(jīng)高溫氧化的分別制備了NiFe2O4、NiFe2O4-Nb、NiFe2O4-CeO2尖晶石涂層。另外,為了Ni-Fe合金涂層與基體之間的元素互擴(kuò)散,預(yù)先在430鐵素體不銹鋼(430SS)上制備一層CrN擴(kuò)散障,再電沉積Ni-Fe合金,經(jīng)高溫氧化NiFe2O4/CrN涂層。并研究了 NiFe2O4尖晶石在800 ℃空氣與空氣中的氧化行為和導(dǎo)電性能。論文取得的主要成果如下:(1)了 Ni-Fe合金成分與FeSO4濃度、電流密度及鍍液溫度的關(guān)系,進(jìn)一步研究了合金涂層成分、厚度和預(yù)氧化溫度對生成NiFe2O4尖晶石的影響。并得出三種的合金涂層:1 μ厚Ni-15at.%Fe,2 μm厚Ni-15at.%Fe和4μm厚Ni-25at.%Fe。

HastelloyB-2無縫管報(bào)價其糊狀區(qū)由液相和β晶粒組成,同時伴隨包晶反應(yīng)L+β→α的發(fā)生,隨著熱化處理時間,糊狀區(qū)內(nèi)液相逐漸,包晶轉(zhuǎn)變逐漸被。β單相凝固型Ti-44Al-5Nb-1.5Cr-1.0W-0.5Si合金主要含有γ/α2片層組織、晶界處的γ/B2相及晶內(nèi)的B2相。隨著熱化處理時間的,固/液界面趨于平整,內(nèi)部液滴數(shù)量,固/液界面前方溶質(zhì)元素分布逐漸趨于,的硅化物逐漸。在定向凝固中Ti-47Al(W,Si)合金的相為α相,主要原因是凝固中的溶質(zhì)偏析、成分過冷以及Y2O3陶瓷模殼對合金熔體的污染等因素造成的。對于Ti-47Al-1.0W-0.5Si合金,穩(wěn)態(tài)生長時合金的凝固路徑為:L→L+α→Ti5Si3+α+γ→Ti5Si3+(α2+γ)。由于W元素的添加,在合金中形成了S-型偏析,隨著生長速率的逐漸,S-型偏析逐漸加劇。鎳基高溫合金返回料中含有多種稀有金屬元素,具有重要的和再利用價值。本文采用的冷坩堝感應(yīng)重熔,在保持K418和G4169合金設(shè)計(jì)成分的同時,避免坩堝材料對合金熔體反應(yīng)產(chǎn)生的二次污染,合金返回料中氧氮含量,使合金組織和力學(xué)性能。選用的兩種復(fù)合鹽凈化劑,可有效G4169和K418返回料合金中氧氮化物夾雜,使G4169返回料的氧氮含量達(dá)到新料的水平,在鎳基高溫合金返回料的凈化和成分調(diào)控方面取得新的進(jìn)展。為鎳基高溫合金返回料的凈化提供了新的思路和有效技術(shù)手段,具有重要的理論和實(shí)際意義。熱處理對葉片微結(jié)構(gòu)演變規(guī)律研究表明:固溶處理后,枝晶干和枝晶間界限變的較為模糊,但還是有較清晰的分界,元素偏析有所減輕,γ’相及枝晶間γ/γ’共晶組織,析出的不規(guī)則的γ’相,隨著葉片壁厚,殘余共晶增多,γγ’相尺寸增大。再經(jīng)時效處理后,γ’相尺寸分布集中,尺寸差異,形貌規(guī)則,立方度,Y基體通道中析出分布不規(guī)則、的三次γ’相。葉片榫頭再結(jié)晶行為研究表明:不同載荷下的DD5單晶試樣經(jīng)1230℃/4h,ac熱處理后,隨著載荷,受載荷影響區(qū)域深度,該區(qū)域枝晶間空間增大,未溶解的共晶組織周圍彌散分布大量與γ相共格的γ’相顆粒物,γ’相粒子以胞狀形式重新析出,尺寸和深度隨載荷的增大而;經(jīng)1315℃/4h, ac.熱處理后發(fā)生再結(jié)晶現(xiàn)象,隨著載荷再結(jié)晶區(qū)域增大,受載荷影響區(qū)域的枝晶干發(fā)生鈍化,枝晶干與枝晶間界限消失,再結(jié)晶晶粒間存在γ/γ’共晶組織。

分析認(rèn)為,修復(fù)態(tài)試樣修復(fù)區(qū)在磁場攪拌作用下的液態(tài)金屬的對流作用了Les相含量,顯微硬度,但修復(fù)區(qū)Les相含量偏少,顯微硬度值不大;而合金元素被磁場作用后,枝晶干Nb元素固溶含量,時效熱處理后,修復(fù)區(qū)枝晶干區(qū)域析出強(qiáng)化相γ″數(shù)量,顯微硬度值顯著。室溫拉伸性能分析表明,激光修復(fù)G4169合金試樣的抗拉強(qiáng)度隨磁場強(qiáng)度的呈現(xiàn)先增大后減小的變化規(guī)律。未施加電磁攪拌條件下,材料抗拉強(qiáng)度為889.2MPa,延伸率為16.1%,當(dāng)磁場強(qiáng)度為2.0T,磁場為100z時,修復(fù)件抗拉強(qiáng)度達(dá)到1045.2MPa,其延伸率達(dá)到22.7%;當(dāng)沉積態(tài)試樣經(jīng)過時效熱處理后,未施加電磁攪拌條件下,材料抗拉強(qiáng)度為1271.2MPa,延伸率為13.2%,在磁場強(qiáng)度為2.0T,磁場為100z時,抗拉強(qiáng)度達(dá)到大值,修復(fù)件抗拉強(qiáng)度達(dá)到1487.8MPa,其延伸率達(dá)到14.1%,抗拉強(qiáng)度和延伸率性能均接近鍛件熱處理。近些年研究結(jié)果表明,在某些高溫合金中加入適當(dāng)含量的P元素,能顯著合金的持久及蠕能。因此,關(guān)于P的作用研究成為。但由于高溫合金中的合金元素種類多至十余種,使得P的作用及機(jī)理研究復(fù)雜。因此,本文并未選用現(xiàn)有牌號的高溫合金,而是設(shè)計(jì)了更便于研究的新合金體系。首先,在綜合分析確定Ni-Cr系合金及Ni-Cr-Fe系合金基體均為γ相的前提下,Ni、Fe含量的例。其次,合金中除了加入P以及少量用于強(qiáng)化晶界的C外,不加入Al、Ti、Nb等強(qiáng)化元素,排除γ’及γ"相的。后,通過合金中的P含量,對分析P與主要基體強(qiáng)化元素間的交互作用,為深入了解P在合金基體中的強(qiáng)化機(jī)理,合金使用性能以及發(fā)展新合金提供可參考的及途徑。本文首先研究了 P對Ni-Cr系合金的鑄態(tài)組織,軋態(tài)組織以及不同熱處理?xiàng)l件下力學(xué)性能的影響。羽-柱狀7YSZ涂層平均熱震壽命(208次)是層狀7YSZ涂層(139次)的1.5倍。隨著噴距,羽-柱狀7YSZ涂層孔隙率,應(yīng)變?nèi)菹?從而涂層的抗熱震性能。5.羽-柱狀結(jié)構(gòu)7YSZ涂層等效電路由四個串聯(lián)的R-C電路組成。對噴涂態(tài)涂層阻抗譜分析表明,隨著溫度的升高,阻抗譜中容抗弧數(shù)量,YSZ晶界電阻值(y)與孔隙率(x)存在指數(shù)關(guān)系y=(1.3)x+1.43×103。高溫氧化阻抗譜分析表明TGO層在高溫氧化50h后發(fā)生致密化使得TGO層電阻率,氧化中涂層表面形成的燒結(jié)收縮裂紋是YSZ晶界電容值不斷下降、電阻值不斷的主要原因;而二次柱狀晶的熔融燒結(jié)(即二次柱狀晶界減小),是YSZ層電容值下降、電阻值的主要因素。熱沖擊阻抗譜分析表明,隨著熱沖擊的,TGO層電阻值增大,電容值減小,表明TGO層在熱沖擊中不斷生長。熱沖擊對二次柱狀納米晶粒內(nèi)部結(jié)構(gòu)無明顯影響,但在涂層表面燒結(jié)而成的收縮裂紋會造成YSZ晶界電阻值和電容值減小。