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ZG3Cr24Ni7SiNRe精密鑄造

耐熱鋼鑄件是指在高溫下工作的鋼材。耐熱鋼鑄件的發(fā)展與電站、鍋爐、燃?xì)廨啓C(jī)、內(nèi)燃機(jī)、等各工業(yè)部門的技術(shù)進(jìn)步密切相關(guān)。由于各類機(jī)器、裝置使用的溫度和所承受的應(yīng)力不同，以及所處環(huán)境各異，因此所采用的鋼材種類也各不相同

公司生產(chǎn)材質(zhì)：ZG5Cr28Ni48W5、ZG4Cr25Ni35、ZG4Cr25Ni13、ZG4Cr22Ni14、ZG4Cr22Ni10、ZG4Cr25Ni20Si2、ZG4Cr25Ni35Mo、ZG3Cr24Ni7SiNRe、310、
ZG0Cr25Ni20、ZG3Cr24Ni7SiNRe、ZG2Cr25Ni13、ZG6Cr22Re、ZG5Cr18Mn6N、ZG3Cr19Ni4N、ZG3Cr24Ni7SiNRe等耐高溫腐蝕材質(zhì)。

【隨機(jī)圖片1】

可供產(chǎn)品：爐底輥、滾動導(dǎo)衛(wèi)、穿孔導(dǎo)板、滑軌、沉沒輥吊臂、工礦篩板、導(dǎo)衛(wèi)板、爐排、出鋼槽、鏈篦機(jī)、側(cè)板、鏟料板、高溫滑軌、篦床、熔煉球圈、高溫滑塊、乙烯裂解爐管、制氫轉(zhuǎn)化爐管排、過熱制氫爐管排、爐輥、裂解爐管排、裂解爐管、制氫爐管、爐輥、乙烯裂解爐管排、W型輻射管、精密鑄造彎頭、制氫爐管、U型輻射管、無縫管、離心鑄管、爐輥、對流段管板、特殊鑄件、五通彎頭、氟化工蒸汽過熱爐、玻璃輥、輻射管、精鑄件、消失模鑄造、大型鑄件、熱處理爐配件、耐熱滑塊、耐熱鋼推頭、爐條、鑄件、精密鑄件、鑄鋼件、耐熱鑄鋼、鑄鋼廠、鋼棒　　這批鮮蒜，陳先生的賣出價格為一斤2.6元到3元不等，也就是說陳先生投入150多萬，三個月后凈賺了100萬元左右。這輪“蒜你狠"去年8月初起步在去年5月份鮮蒜的價格是相對便宜的，但隨著時間的增長，鮮蒜不斷流失水分，隨著重量的減少，大蒜的價格會越來越貴。煙氣與含有催化劑的循環(huán)液在吸收塔內(nèi)逆向流動時，亞硫酸根、亞根被催化劑，在氧氣存在的條件下被氧化成為稀硫酸或稀。在加入中和劑(氨水)的情況下，終反應(yīng)生成硫酸銨或銨化肥。在脫硫脫硝的同時，該催化氧化劑對等重金屬也具有*的物理溶解吸附效果，從而去除煙氣中的等重金屬。技術(shù)特點(diǎn):1)脫硫效果高，出口煙氣SO2可達(dá)到排放濃度≤50mg/m3;2)對于煙氣溫度、SO2濃度和煙氣量適應(yīng)性強(qiáng);3)運(yùn)行、可靠，無管道堵塞、結(jié)垢現(xiàn)象;4)資源利用優(yōu)勢，利用焦化廠蒸氨后氨水，焦化廠廢水處理負(fù)荷;5)脫硫劑(催化氧化劑)循環(huán)使用，并可生產(chǎn)高附加值的硫酸銨產(chǎn)品;6)對燒結(jié)機(jī)主無影響，與燒結(jié)機(jī)主同步率為98%以上。　　目前已有近20,000多人確認(rèn)參觀上海發(fā)酵展；同時，上在線觀眾預(yù)登記，預(yù)登記，站(或加biozl_)，就可直接注冊參觀，并且可以到更多*，目前，注冊的觀眾已達(dá)六千人。我們將為有意開拓市場的國外企業(yè)和有意向市場進(jìn)軍的國內(nèi)企業(yè)提供免費(fèi)"嫁接"，有效的促進(jìn)了中外企業(yè)的交流與合作，為國外企業(yè)了解市場開辟綠色通道，也為產(chǎn)品進(jìn)入市場提供優(yōu)良平臺，組委會還特別設(shè)置了企業(yè)洽談專區(qū)。有人提出將砂鐵比到十比一即可熱砂問題。另外尤其重要的是采取增濕通風(fēng)冷卻處理。我國有幾家工廠應(yīng)用結(jié)構(gòu)良好的進(jìn)口增濕冷卻設(shè)備，能將型砂溫度到要求范圍內(nèi)。國內(nèi)有的工廠只是在落砂后斜爬皮帶上自行按裝一個簡易的霧化裝置，根據(jù)來砂多少自動調(diào)節(jié)量，也可以使砂溫適當(dāng)。

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2.強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新我國的材料應(yīng)用企業(yè)一般規(guī)模不大。而企業(yè)作為加工應(yīng)用技術(shù)研究、研發(fā)投入的主體，單個企業(yè)投入研究可能負(fù)擔(dān)較重，因此同類應(yīng)用企業(yè)和加工裝備制造企業(yè)應(yīng)當(dāng)聯(lián)合起來形成產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如以股份制形式共同出資投入組建研究團(tuán)隊，形成共有共享的技術(shù)，從而促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展著碳化硅晶體的不斷,對碳化硅(SiC)基半導(dǎo)體器件已開始大量研究[1-2].由于SiC晶體具有很強(qiáng)的共價鍵,高溫擴(kuò)散或離子注入等制備器件功能層都存在很大的局限性[3].而通過化學(xué)氣相外延(CVD)同質(zhì)外延一層結(jié)晶高,摻雜可控的功能層是目前進(jìn)行器件制備的一個重要途徑[4-6].早期的碳化硅同質(zhì)外延使用(0001)正角襯底,很難避免3C-SiC多晶的產(chǎn)生.而通過采用偏離(0001)面一定角度的襯底,利用臺階側(cè)向生長的可以實(shí)現(xiàn)晶型的延續(xù),即使在較低的生長溫度下也可高結(jié)晶的SiC同質(zhì)外延膜[6].碳化硅同質(zhì)外延常用的CVD設(shè)備主要有常壓冷壁和低壓熱壁兩種類型[7].常壓冷壁CVD具有設(shè)備相對簡單,外延膜摻雜更易控制等優(yōu)點(diǎn),適合生長微電子器件所需的優(yōu)質(zhì)摻雜控制的薄膜,但是由于熱解效率低等因素,常壓冷壁CVD的外延膜生長速率一般較低,通常在2~3μm/h.為了在常壓冷壁CVD設(shè)備上實(shí)現(xiàn)外延膜的優(yōu)質(zhì)高速生長,本研究使用自制常壓冷壁CVD設(shè)備,在1400℃下進(jìn)行4H-SiC外延膜生長研究.1實(shí)驗(yàn)1.1碳化硅同質(zhì)外延膜的制備實(shí)驗(yàn)使用的是Cree公司生長的8°偏向<1120>的4H-SiC晶片.晶片經(jīng)過、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去離子水漂洗,后用高純N2吹干后立刻放入CVD反應(yīng)進(jìn)行生長.生長分為兩步:首先在1300℃進(jìn)行原位腐蝕處理;之后升溫至1400℃并通入源氣體進(jìn)行外延生長.具體的生長工藝條件見圖1,原位處理采用H2/HCl,生長的氣源為H2SiH4C3H8.通過改變丙烷的流量控制生長中的碳硅比(C/Si).部分高生長速率樣品在生長初始階段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生長速率生長一層200nm左右的界面過渡層,再逐漸過渡到正常生長.1.2生長后的外延膜通過光學(xué)顯微鏡觀察表面形貌.通過Raman光譜并輔以KOH腐蝕結(jié)果確認(rèn)晶型.通過斷面SEM計算外延膜的生長速率.通過KOH腐蝕研究外延膜中的晶體缺陷.2結(jié)果與討論2.1外延膜的晶型表征生長完成后,首*行了Raman表征以確定1400℃生長時外延膜的晶型.如圖2所示,對比外延膜和襯底的Raman光譜可以看出,即使在1400℃的低生長溫度下,外延膜仍很好的延續(xù)襯底晶型.需要注意的是,在實(shí)驗(yàn)樣品中折疊縱光學(xué)(FLO)模出現(xiàn)在980cm1,與理論上的964cm1有一定差別.Kitamura等[8]研究發(fā)現(xiàn),晶體的摻雜濃度會明顯改變FLO的位置.根據(jù)他們實(shí)驗(yàn)的結(jié)果,980cm1對應(yīng)的雜質(zhì)濃度約~1018cm3,這與本實(shí)驗(yàn)通過霍爾(Hall)對樣品的結(jié)果相吻合.因?yàn)?C-SiC的折疊橫光學(xué)(FTO)模出現(xiàn)的位置與4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都為796cm1.為此對外延膜進(jìn)行了進(jìn)一步的KOH腐蝕實(shí)驗(yàn).根據(jù)文獻(xiàn)報道[9],外延膜中的3C-SiC多晶會出現(xiàn)三角形的腐蝕坑,而在本實(shí)驗(yàn)中,只出現(xiàn)了六方和橢圓形腐蝕坑.因此,可以確認(rèn)即使是在1400℃的低生長溫度下,4H-SiC同質(zhì)外延仍能結(jié)晶性非常好的單晶外延膜.2.2生長速率由于外延膜與襯底的摻雜性質(zhì)不同,在SEM下會呈現(xiàn)明顯不同的襯度,因此可以通過斷面SEM準(zhǔn)確地測出外延膜的厚度,如圖3(a)插圖所示.通過這種,可以不同SiH4流量以及不同C/Si條件下外延膜的生長速率.圖3(a)是不同SiH4流量時的生長速率關(guān)系圖,從圖中可以看出,生長速率與SiH4流量的關(guān)系可以分為兩個區(qū)域.在區(qū)域Ⅰ,生長速率隨SiH4流量而線性.在這個區(qū)域,內(nèi)反應(yīng)處于非飽和狀態(tài),因此生長速率由反應(yīng)物的輸運(yùn)控制,與源氣體的流量呈明顯的線性關(guān)系.在區(qū)域Ⅱ,生長速率已達(dá)到的飽和值,SiH4流量并不生長速率.對于本實(shí)驗(yàn)設(shè)備,在1400℃條件下飽和生長速率約在6μm/h左右.圖3(b)是SiH4流量保持為0.8sccm,改變C3H8流量的不同C/Si比的生長速率圖,從中可以看出,在C/Si<1.5時,由于內(nèi)的C源不足,生長速率遠(yuǎn)低于正常狀態(tài),生長速率由C3H8流量控制.當(dāng)C/Si>1.5時,生長速率達(dá)到飽和狀態(tài),反應(yīng)受SiH4流量,再C3H8流量并不能生長速率.由于在生長溫度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此飽和生長速率對應(yīng)的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌缺陷利用光學(xué)顯微鏡研究了外延膜表面的形貌缺陷.外延膜表面出現(xiàn)的典型缺陷為圖4(a)所示的三角形缺陷.圖4(a)中內(nèi)嵌插圖為三角形缺陷的SEM照片,從圖中可以看出,三角形缺陷在表面凹陷,沿<1120>生長方向,在臺階流上方的頂點(diǎn)處深,其對應(yīng)的底邊通常與臺階流方向(即<1120>方向)垂直.圖4(a)~(d)為不同生長速率時外延膜的表面形貌光學(xué)照片.在低的生長速度下外延膜表面缺陷較少,隨著生長速率的,外延膜表面的缺陷密度迅速.當(dāng)生長速率達(dá)到6μm/h時,表面已幾乎被缺陷覆蓋.因此,在較高生長速度下,需做進(jìn)一步地研究來控制和外延膜表面缺陷密度.不同C/Si比生長的外延膜表面形貌見圖5.在C/Si比為0.5時,在外延膜表面形成大量的“逗號"狀的凹坑.通過Raman表明凹坑中存在著晶體Si,說明在此條件下,Si源嚴(yán)重過量,表面出現(xiàn)硅液滴的不斷沉積與揮發(fā).但C/Si比大于1.5時,外延膜表面形貌沒有太大區(qū)別.通過對生長機(jī)制的分析,可以認(rèn)為三角形凹坑缺陷是由臺階側(cè)向的特性所決定的.按照SiC“臺階控制"生長理論模型,同質(zhì)外延利用臺階的側(cè)向生長以襯底的堆積順序(晶型)[10].如圖6所示,當(dāng)外延生長中,在界面處出現(xiàn)(形成)一個缺陷點(diǎn)(可能是晶體缺陷、外來粒子等),就會阻礙此處臺階的側(cè)向.隨著生長的不斷進(jìn)行,缺陷點(diǎn)不斷側(cè)向生長的進(jìn)行,而在臺階流下方會逐漸恢復(fù)到正常的生長.終就會在外延膜表面留下一個臺階流上方頂點(diǎn)處凹陷下去的三角形缺陷,且三角形缺陷在臺階流上方的頂點(diǎn)深,而對應(yīng)邊與臺階流方向垂直.2.4外延膜的結(jié)晶缺陷由于襯底以及生長工藝因素的影響,外延膜中通常會形成一些結(jié)晶缺陷.用510℃熔融KOH腐蝕5min后發(fā)現(xiàn),襯底表面存在著如圖7(a)所示的“貝殼狀"腐蝕坑,對應(yīng)著基平面位錯(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究發(fā)現(xiàn)BPDs在正向?qū)娏髯饔孟聲葑冃纬啥讯鈱渝e,造成高頻二極管(PiN)器件正向?qū)妷旱钠?而露頭刃位錯(對應(yīng)7(b)中“六邊形"腐蝕坑)對器件性能的影響則相對較小.因此,在SiC外延生長中襯底中的BPDs向外延膜中延伸對器件性能有很重要的意義.圖7(b)和(c)是生長速率分別為2.2和3.5μm/h時外延膜表面腐蝕后的光學(xué)照片(MP).生長速率為2.2μm/h時,外延膜表面主要為六邊形的腐蝕坑,即露頭刃位錯(TEDs),說明低生長速率有利于襯底上的BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs.當(dāng)生長速度到3.5μm/h時,由圖7(c)可以看到膜上的腐蝕坑密度增大,說明生長速度后,外延膜生長中形成了大量的新缺陷.不同C/Si比條件生長的外延膜也進(jìn)行了KOH腐蝕試驗(yàn).結(jié)果表明,低C/Si時,外延膜中仍存在著BPDs;高C/Si時,外延膜中基本不存在BPDs.說明高C/Si比有利于外延膜中的BPDs.在較高C/Si比生長條件下BPDs密度的可能是富C情況下臺階側(cè)向生長所占比例,空間螺旋生長所占比例,了BPDs轉(zhuǎn)化成TEDs的幾率[13-14].2.5表面缺陷的控制研究在低生長速率時,由于生長初期界面由腐蝕(表面粒子解離為主)到生長(表面粒子吸附固定)的轉(zhuǎn)變相對較平穩(wěn),因此外延膜表面缺陷較少.但在高生長速率時,初期界面的轉(zhuǎn)換非常,初期在界面處波動太大,形成大量的缺陷中心,從而在后續(xù)正常生長中引入大量的缺陷點(diǎn),根據(jù)三角形缺陷產(chǎn)生的機(jī)制,終在外延膜表面形成大量的三角形凹坑缺陷.從上述分析可以看出,外延膜的缺陷密度受生長速率密切影響.高生長速率時在生長初期容易在界面上形成異常成核或者異常堆積,從而產(chǎn)生大量缺陷并延續(xù)到外延膜中,形成更多的表面缺陷.因此在高生長速率的情況下,要低缺陷密度的外延膜,需要控制并在初期生長界面處形成缺陷.通過在生長初期逐漸源氣體流量,控制生長初期時生長界面的異常成核,可以在外延中缺陷形成.圖8是生長速率為5.5μm/h時,直接外延生長和改進(jìn)后的外延膜表面的光學(xué)照片,從圖中可以看出改進(jìn)初期生長條件后外延膜表面缺陷的密度*地,了外延膜的.利用熔融KOH腐蝕對有無初期生長的外延膜結(jié)晶缺陷做了對比研究.從圖9中可以看出,加入初期生長的外延膜在熔融KOH腐蝕后發(fā)現(xiàn),即使在很高生長速率(5.5μm/h,接近飽和生長速率)條件下,腐蝕坑密度也迅速,說明通過引入初期生長能大大外延生長初期缺陷的形成,從而*高速生長時外延膜中的缺陷密度,因此引入初期生長是高速生長外延膜的重要手段之一。